미래반도체소자 연구실은 차세대 반도체 기술의 한계를 극복하고, 미래 사회를 선도할 혁신적인 소자 및 소재 개발에 앞장서고 있습니다. 본 연구실은 III-V 화합물반도체를 기반으로 한 고성능 광전소자와 나노구조 전자소자 제작에 중점을 두고 있으며, 소재 성장, 소자 설계, 공정, 특성 평가 등 반도체 소자 개발의 전 과정을 포괄적으로 연구하고 있습니다. 특히, 실리콘 기반 전계효과 트랜지스터의 소형화 한계와 이에 따른 성능 저하 문제를 해결하기 위해, 저차원 소재와 III-V 화합물반도체의 이종접합구조를 활용한 터널링 트랜지스터 등 미래형 소자 개발에 주력하고 있습니다. 이러한 연구는 초저전력, 고집적, 고신뢰성 반도체 소자 구현을 목표로 하며, 국제 반도체 기술 로드맵에서 제시하는 Subthreshold Swing(SS) 60 mV/dec 이하의 극복 등 세계적 기술 트렌드에 부합하는 혁신적 접근을 시도하고 있습니다. 또한, 근적외선 대역 단일광자검출기와 같은 양자기술 응용 소자 개발에도 적극적으로 참여하고 있습니다. InGaAs 기반 Avalanche Photodetector(APD) 등 첨단 III-V 화합물반도체 소자를 활용하여, 양자통신, 양자암호, 양자계측 등 다양한 분야에서 요구되는 핵심 부품의 국산화 및 실용화에 기여하고 있습니다. 이러한 연구는 국가 전략기술 확보와 미래 산업 경쟁력 강화에 중요한 역할을 하고 있습니다. 연구실은 정부 및 대기업(삼성, SK 하이닉스 등)과의 협력, 민관공동투자반도체고급인력양성사업 등 다양한 산학연 연계를 통해 실용화 및 산업적 파급효과를 극대화하고 있습니다. 학생 및 연구원들은 소재 성장, 소자 설계, 공정, 측정 등 전주기적 경험을 쌓으며, 실제 산업 현장에서 요구되는 융합형 전문 역량을 갖출 수 있도록 실무 중심의 교육과 연구를 병행하고 있습니다. 이처럼 미래반도체소자 연구실은 첨단 반도체 소재 및 소자 기술의 선도적 연구와 더불어, 차세대 반도체 산업을 이끌어갈 융합형 고급 인재 양성에도 최선을 다하고 있습니다. 앞으로도 혁신적인 연구와 산학협력을 통해 미래 정보통신, 양자기술, 에너지, 국방 등 다양한 분야에서 새로운 가치를 창출해 나갈 것입니다.