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Article
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·
인용수 0
·
2026
2T DRAM characteristics applying a temperature-dependent a-IGZO TFT model
Sunghyun Woo
,
Seongwoo Kim
,
Myounggon Kang
IF 3.1 (2026)
Microelectronic Engineering
키워드
Dram
Capacitance
Data retention
Transistor
Dynamic random-access memory
Thermal conduction
Thin-film transistor
Mobility model
타입
Article
IF / 인용수
3.1 / 0
원문
https://doi.org/10.1016/j.mee.2026.112470
게재 연도
2026