Device Research Laboratory

School of Advanced Fusion Studies
강명곤

Device Research Laboratory는 반도체 소자 및 차세대 메모리, 회로 설계, 분석, 모델링 분야에서 세계적인 연구를 수행하고 있습니다. 본 연구실은 3D NAND 플래시 메모리, DRAM, 차세대 메모리 소자(FeNAND, IGZO, 멤리스터 등)의 구조적 혁신과 신뢰성 향상, 그리고 회로 설계 최적화에 중점을 두고 있습니다. 다양한 소재와 공정 기술을 적용하여, 고집적, 고성능, 저전력 특성을 갖춘 미래형 메모리 소자 및 회로를 개발하고 있습니다. 특히, 폰노이만 병목을 극복하기 위한 로직-인-메모리(Logic-in-Memory, LiM), 컴퓨팅-인-메모리(Computing-in-Memory, CIM) 등 인공지능 및 뉴로모픽 시스템 구현을 위한 차세대 메모리 소자와 회로 연구를 활발히 진행하고 있습니다. 플로팅 게이트 FET, 멤리스터, 저항변화 메모리 등 다양한 소자 구조와 소재를 기반으로, 멀티레벨 셀, 아날로그 저항 가변, 시냅스 모방 특성 등 혁신적인 기능 구현에 집중하고 있습니다. 또한, 초미세 반도체 소자(나노플레이트, GAA, FinFET, 나노와이어 FET 등)의 신뢰성 및 열적 특성 분석에도 많은 연구 역량을 투입하고 있습니다. 셀프 히팅 효과, 단락 채널 효과, 방사선 내성 등 미세화에 따른 다양한 신뢰성 문제를 해결하기 위해 첨단 시뮬레이션과 실험적 분석을 병행하고 있습니다. 이를 통해 소자의 성능 한계 극복과 신뢰성 향상에 기여하고 있습니다. 본 연구실은 반도체 소자 및 회로의 모델링, 시뮬레이션, 실험적 검증을 아우르는 융합적 연구를 통해, 산업계와 학계에 실질적인 해법을 제공하고 있습니다. 다양한 산학연 협력 프로젝트와 정부 지원 연구과제를 수행하며, 미래 반도체 산업을 선도할 핵심 인재 양성에도 힘쓰고 있습니다. 앞으로도 Device Research Laboratory는 반도체 소자 및 차세대 메모리, 인공지능 하드웨어, 초미세 소자 신뢰성 분야에서 혁신적인 연구를 지속적으로 추진하며, 글로벌 반도체 기술 발전에 기여할 것입니다.