상세 설명

우리 연구실은 3nm 이하의 초미세 반도체 소자(나노플레이트 FET, GAA, FinFET, 나노와이어 FET 등)의 신뢰성 및 열적 특성 분석에도 많은 연구 역량을 집중하고 있습니다. 반도체 소자의 미세화가 진행됨에 따라, 셀프 히팅 효과(Self-Heating Effect, SHE), 단락 채널 효과(Short Channel Effect, SCE), 방사선 내성 등 다양한 신뢰성 문제가 대두되고 있습니다. 본 연구실에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 3D TCAD, 몬테카를로 시뮬레이션 등 첨단 해석 기법을 활용하여 소자의 열적, 전기적 특성을 정밀하게 분석하고 있습니다. 특히, 패키징 방식, 게이트 산화막 두께, 스페이서 구조, 채널 두께 등 다양한 공정 및 구조적 변수에 따른 소자의 열적 거동과 신뢰성 변화를 체계적으로 연구하고 있습니다. 또한, 방사선 환경에서의 트랜지스터 특성 변화, 인터페이스 트랩, 핫 캐리어 주입, 게이트 누설 전류 등 신뢰성 저하 메커니즘을 규명하고, 이를 극복할 수 있는 최적 설계 및 공정 가이드를 제시하고 있습니다. 이러한 연구는 차세대 초미세 반도체 소자의 성능 한계 극복과 신뢰성 향상에 직접적으로 기여하며, 미래 반도체 산업의 경쟁력 확보에 중요한 역할을 하고 있습니다. 앞으로도 본 연구실은 초미세 소자 분야의 세계적 연구를 선도하며, 산업계와 학계에 실질적인 해법을 제공할 것입니다.

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