고온 어닐링 조건에서도 H-Ge 이종접합에 ACM vIL을 형성하였다. 밀도범함수이론 계산은 ACM vIL이 전자적 밴드 구조를 변화시키지 않으면서 수소로 패시베이션된 Ge 표면을 그대로 유지함을 추가로 명확히 하였다. 이러한 결과는 ACM vIL이 계면 특성을 효과적으로 향상시키고 산화막의 품질을 개선하여 초미세 스케일 MOS 소자의 추가 발전을 가능하게 함을 보여준다.
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