본 연구는 서로 다른 O2 플라즈마 처리 조건과 처리 시간에 따른 그래핀의 구조적 및 전기적 특성 변화를 라만 분광법과 Id–Vg 및 Id–Vd 측정법을 사용하여 조사하였다. 초기에는 원격(remote) O2 플라즈마 처리를 1–4 s 범위로 수행한 후 그래핀의 라만 스펙트럼과 Id–Vg 및 Id–Vd 곡선을 관찰하였다. 전기적 특성에서의 -도핑(doping) 효과를 확인하였다. 이어서 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 플라즈마 처리 모드로 전환하고, 결합 네트워크의 무결성을 저해하지 않으면서 그래핀의 특성을 향상시키기에 가장 적합한 플라즈마 모드를 규명하기 위한 비교 분석을 수행하였다. 특히 플라즈마 처리 시간에 따른 라만 피크 위치와 강도의 변화는, 고에너지 플라즈마 이온이 그래핀의 2 궤도 결합의 대칭성을 교란하여 3 개의 혼성화(3 hybridization) 궤도 결합의 형성을 유도함을 보여주었다. 또한 플라즈마 처리된 그래핀을 노(furnace)에서 어닐링 했을 때의 전기적 특성 변화를 관찰함으로써 열처리의 회복(restorative) 효과를 확인하였다.

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