이 서한은 100-nm GaAs pHEMT로 제작된 주입 잠금 주파수 옥투플러(injection-locked frequency octupler, ILFO)를 제시한다. 주파수 배수기 4배기와, 이어서 주입 잠금 푸시-푸시 발진기를 사용하여, 단순한 구조로서 배수 인자 8의 높은 값을 달성한다. 제안된 구조는 기존의 증폭기-배수기 체인과 비교할 때, dc 전력 및 칩 면적 소요, 위상잡음, 회로 안정성 측면에서 유리하다. 높은 배수 인자는 저주파이면서 고성능인 위상 고정 루프(phase-locked-loop, PLL)를 입력으로 사용할 수 있게 한다. ILFO는 입력 전력 1 dBm에서 90.5~95.2의 잠금 범위를 보인다. 출력 전력은 91.2 GHz에서 -0.4 dBm으로 측정되었다. 입력 소스에서 출력까지의 위상잡음 열화는 100-kHz 오프셋에서 19.7 dB이다.

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