본 논문에서는 60-nm GaN HEMT 공정을 이용한 W-대역 (75-110 GHz) 고출력 차동 발진기를 제안한다. 발진기 코어는 커패티티브 소스 피드백을 포함한 공통 소스 구조이며 추가적인 on-chip 발룬 없이도 차동 출력을 내도록 코어, 버퍼단 모두 차동 구조로 설계되었다. 측정 결과 81.8 GHz에서 최대 21.4 dBm의 차동 출력 전력을 보이며 이 때 DC 전력소모는 2688mW였다. 위상 잡음은 1-MHz 오프셋에서 –74 dBc/Hz의 측정값을 얻었으며 프로빙 패드를 포함된 칩 사이즈는 1100x610 μm²이다.

이 논문은 60 nm GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 공정으로 제작된 W-밴드 및 G-밴드 전압제어발진기(VCO)를 제시하며, f _T /f _MAX는 190/250 GHz이다. 두 개의 W-밴드 기본 VCO(VCO1 및 VCO2)는 각각 바랙터를 사용하지 않은 경우와 사용하는 경우로 설계하였다. 또한 G-밴드 푸시-푸시 VCO(VCO3)를 설계하여 서브 테라헤르츠 대역에서의 GaN 전력원의 실현 가능성을 입증하고자 하였다. 측정 결과, VCO1과 VCO2는 각각 87.5 및 86.5 GHz에서 출력전력 22.5 및 22.6 dBm, dc-to-RF 효율 14.7% 및 16.8%를 나타냈다. 출력전력과 효율은 50 GHz를 초과하여 동작하는 기존에 보고된 GaN VCO들 가운데 가장 높은 값이다. 더불어 VCO2는 9.0 GHz의 폭넓은 튜닝 범위(77.5–86.5 GHz)를 달성하였다. VCO3는 180.6 GHz에서 높은 출력전력 9.3 dBm을 보였다. 저자들이 아는 한, 이는 GaN 기술에서 G-밴드 VCO를 시연한 최초의 사례이다. W-밴드 및 G-밴드 VCO는 각각 0.48 및 0.32 mm ²의 조밀한 칩 면적을 차지한다.