이 논문은 60 nm GaN 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 공정으로 제작된 W-밴드 및 G-밴드 전압제어발진기(VCO)를 제시하며, f T /f MAX는 190/250 GHz이다. 두 개의 W-밴드 기본 VCO(VCO1 및 VCO2)는 각각 바랙터를 사용하지 않은 경우와 사용하는 경우로 설계하였다. 또한 G-밴드 푸시-푸시 VCO(VCO3)를 설계하여 서브 테라헤르츠 대역에서의 GaN 전력원의 실현 가능성을 입증하고자 하였다. 측정 결과, VCO1과 VCO2는 각각 87.5 및 86.5 GHz에서 출력전력 22.5 및 22.6 dBm, dc-to-RF 효율 14.7% 및 16.8%를 나타냈다. 출력전력과 효율은 50 GHz를 초과하여 동작하는 기존에 보고된 GaN VCO들 가운데 가장 높은 값이다. 더불어 VCO2는 9.0 GHz의 폭넓은 튜닝 범위(77.5–86.5 GHz)를 달성하였다. VCO3는 180.6 GHz에서 높은 출력전력 9.3 dBm을 보였다. 저자들이 아는 한, 이는 GaN 기술에서 G-밴드 VCO를 시연한 최초의 사례이다. W-밴드 및 G-밴드 VCO는 각각 0.48 및 0.32 mm 2의 조밀한 칩 면적을 차지한다.
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