본 논문에서는 60-nm GaN HEMT 공정을 이용한 W-대역 (75-110 GHz) 고출력 차동 발진기를 제안한다. 발진기 코어는 커패티티브 소스 피드백을 포함한 공통 소스 구조이며 추가적인 on-chip 발룬 없이도 차동 출력을 내도록 코어, 버퍼단 모두 차동 구조로 설계되었다. 측정 결과 81.8 GHz에서 최대 21.4 dBm의 차동 출력 전력을 보이며 이 때 DC 전력소모는 2688mW였다. 위상 잡음은 1-MHz 오프셋에서 –74 dBc/Hz의 측정값을 얻었으며 프로빙 패드를 포함된 칩 사이즈는 1100x610 μm²이다.

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