본 논문은 0.18-μm SiGe 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터 공정을 사용하여 제작된 D-대역 증폭기 2종을 제시한다. 단일종단 증폭기는 5단 공통베이스 토폴로지를 사용하며, 차동 증폭기는 단일종단 증폭기 체인 2개를 결합한다. D-대역에서 주어진 기술이 제공하는 제한된 사용 가능 이득을 극복하기 위해, 각 이득 셀에 양의 피드백에 기반한 이득 부스팅 기법을 적용한다. 또한 양의 피드백을 조정하여 이득 셀의 입력 및 출력 임피던스를 공액 정합하므로, 인터스테이지 정합을 위해 외부 소자가 필요하지 않다. 이 방법은 칩 크기를 최소화하면서 이득과 대역폭을 향상시킨다. 단일종단 증폭기는 123 GHz에서 측정 이득 7.5 dB를 보이며, 3-dB 대역폭은 25 GHz이다. 차동 증폭기는 115 GHz에서 측정 이득 20.3 dB를 보이며, 3-dB 대역폭은 13 GHz이다. 두 증폭기의 출력전력 값은 각각 2.6 dBm과 6.7 dBm이다. 칩 크기는 각각 0.22 및 0.40 mm 2 로 작다.
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