250-nm InP 이중 헤테로접합 쌍극 트랜지스터(DHBT) 기술을 사용하여 232–250-GHz traveling-wave 주파수 배가기를 제시한다. 기존 traveling-wave 구조와 비교하여, 제안된 주파수 배가기는 입력 급전선의 끝단에 물리적 open을 사용함으로써 입력 신호 누설을 최소화하고 출력 신호 라인의 도선 교차를 방지한다. 또한 2차 고조파에서 로드-풀 매칭(load–pull matching)을 통해 출력 전력을 극대화하는 한편, 차동 신호의 위상 보상(phase compensation)으로 기저 고조파(fundamental) 억제를 향상시킨다. 이 주파수 배가기는 240 GHz에서 최대 출력전력 5.2 dBm, 변환 이득 −4.3 dB, 전체 효율 2.9%를 보인다. 출력 전력의 3-dB 대역폭은 232~250 GHz이다. 기저 고조파 억제는 대역폭 전반에 걸쳐 25~33 dB이다. 칩 크기는 traveling-wave 구조가 balun을 요구하지 않기 때문에 로 매우 작다.
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