본 논문은 0.25-μm GaAs 슈도모픽 고전자이동도 트랜지스터(pseudomorphic high-electron mobility transistor, HEMT) 기술로 제작된 Ku-대역 단일칩(monolithic) 다기능 송신기 및 수신기 칩셋을 제시한다. 해당 칩셋은 4비트 360° 디지털 위상 천이기, 5비트 15.5-dB 디지털 감쇠기, 디지털 회로 제어를 위한 증폭기 및 9비트 디지털 직렬-병렬 변환기(digital serial-to-parallel converter)를 포함하는 높은 수준의 집적도를 달성하였다. 다기능 칩셋은 중간 출력 전력 증폭기와 저잡음 증폭기를 포함하므로, Ku-대역 전 주파수 범위에서 높은 P1dB와 낮은 잡음지수를 특징으로 한다. 다기능 송신기는 15 GHz에서 16.5 dB의 피크 이득과 19.2 dBm의 출력 P1dB를 보인다. 다기능 수신기는 15 GHz에서 17.3 dB의 피크 이득과 2.5 dB의 잡음지수를 보인다. 감쇠 범위는 0.5 dB 단위로 15.5 dB이며, 위상 천이 범위는 22.5° 단위로 360°이다. 송신기와 수신기 각각의 칩 면적은 4.2 × 2.8 mm2이다.

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