GaN-Based W-/G-Band High-Power Voltage-Controlled Oscillator (VCO) Research
연구 내용
GaN HEMT 공정에서 W/G-밴드 전압제어 발진기 VCO의 공진·정합 구조를 설계하고 튜닝 범위와 효율을 동시에 만족하는 연구
GaN HEMT 60nm 공정 기반으로 W-및 G-밴드 전압제어 발진기 VCO를 설계합니다. varactor 유무에 따른 W-밴드 기본 VCO 구조와 sub-THz 구동을 위한 G-밴드 push-push 토폴로지를 적용하여 발진 조건과 출력 구동을 정리합니다. 또한 공정 스케일에 맞춘 칩 면적 최적화와 전압 제어부의 연결 구조를 반영해 dc 전원과 rf 출력 사이의 동작 효율을 검증합니다. 결과적으로 고출력과 효율, 튜닝 범위를 함께 확보하는 설계 절차를 정립합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
1편
관련 특허
0건
관련 프로젝트
0건
연구 흐름
초기에는 GaN HEMT 공정에서 60nm 공정 조건을 기준으로 W-밴드 기본 VCO 코어를 구성하고, 발진 안정성과 출력 레벨을 확인하는 연구를 수행했습니다. 이후 varactor를 포함한 튜닝 구조를 추가하여 주파수 조절 범위를 확장하고, 부가 회로의 영향으로 인한 출력 변동을 점검했습니다. 최근에는 push-push 토폴로지를 G-밴드로 확장하여 GaN 기반 sub-terahertz 주파수 대역의 발진 가능성을 실험적으로 검증했습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
W- and G-Band GaN Voltage-Controlled Oscillators With High Output Power and High Efficiency