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GaN 기반 W/G-밴드 고출력 전압제어 발진기 VCO 연구

GaN-Based W-/G-Band High-Power Voltage-Controlled Oscillator (VCO) Research

연구 내용

GaN HEMT 공정에서 W/G-밴드 전압제어 발진기 VCO의 공진·정합 구조를 설계하고 튜닝 범위와 효율을 동시에 만족하는 연구

GaN HEMT 60nm 공정 기반으로 W-및 G-밴드 전압제어 발진기 VCO를 설계합니다. varactor 유무에 따른 W-밴드 기본 VCO 구조와 sub-THz 구동을 위한 G-밴드 push-push 토폴로지를 적용하여 발진 조건과 출력 구동을 정리합니다. 또한 공정 스케일에 맞춘 칩 면적 최적화와 전압 제어부의 연결 구조를 반영해 dc 전원과 rf 출력 사이의 동작 효율을 검증합니다. 결과적으로 고출력과 효율, 튜닝 범위를 함께 확보하는 설계 절차를 정립합니다.

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연구 흐름

초기에는 GaN HEMT 공정에서 60nm 공정 조건을 기준으로 W-밴드 기본 VCO 코어를 구성하고, 발진 안정성과 출력 레벨을 확인하는 연구를 수행했습니다. 이후 varactor를 포함한 튜닝 구조를 추가하여 주파수 조절 범위를 확장하고, 부가 회로의 영향으로 인한 출력 변동을 점검했습니다. 최근에는 push-push 토폴로지를 G-밴드로 확장하여 GaN 기반 sub-terahertz 주파수 대역의 발진 가능성을 실험적으로 검증했습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

  • W-밴드 레이더 국부발진원
  • G-밴드 통신용 주파수 합성기
  • 전압 제어 기반 주파수 추적기
  • 고효율 sub-THz 신호원
  • 모노리식 마이크로파 집적 구동부
  • 대역 전환형 송신기 LO
  • 고출력 RF 프런트엔드 타이밍 소스
  • RF 테스트 장비의 저위상잡음 LO
  • 고주파 다중 대역 전력 증폭기 연동
  • GaN 공정 기반 VCO 설계 템플릿

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구분

제목

1

W- and G-Band GaN Voltage-Controlled Oscillators With High Output Power and High Efficiency