상세 설명

본 연구실은 차세대 전자소자 구현을 위해 저전력 소모와 고이동도를 동시에 달성할 수 있는 전계효과 트랜지스터(FET) 및 다양한 광전자소자 개발에 집중하고 있습니다. 2차원 반도체 소재(MoS2, MoTe2, SnSe2 등)를 기반으로 한 FET는 기존 실리콘 소자에 비해 얇은 채널 두께, 우수한 전계 효과, 유연한 밴드갭 조절이 가능하여 초저전력, 고속 동작이 가능합니다. 특히, 금속 접촉 저항 감소, 도핑 제어, 결함 엔지니어링, 이종접합 구조 설계 등 다양한 소자 구조 및 공정 기술을 도입하여 소자의 이동도와 스위칭 특성을 극대화하고 있습니다. 또한, 광전도도, 광감도, 응답속도 등 광전자 특성을 향상시키기 위해 광활성 소재의 조성 및 두께 제어, 결함 제어, 표면 플라즈모닉 구조 도입 등 다각적인 연구를 수행합니다. 이러한 연구는 차세대 논리소자, 메모리, 투명전자소자, 고감도 광센서, 초박막 태양전지 등 다양한 응용 분야로 확장되고 있습니다. 본 연구실은 소재 성장-소자 제작-특성 평가-회로 응용까지 통합된 연구를 통해 미래 지능형 반도체 및 광전자 산업의 핵심 기술을 개발하고 있습니다.

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