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Advanced Materials and Nano-electronic Devices Laboratory
서울시립대학교 첨단융합학부 김태완 교수
materials growth
fabrication
electronic devices
연구 영역
기본 정보
논문·특허
과제
구성원

Advanced Materials and Nano-electronic Devices Laboratory

서울시립대학교 첨단융합학부 김태완 교수

서울시립대학교 첨단소재 및 나노전자소자 연구실은 차세대 전자산업을 선도할 첨단 소재의 성장과 소자 제작, 그리고 응용 기술 개발에 중점을 두고 있습니다. 본 연구실은 금속-유기 화학기상증착법(MOCVD), 원자층 증착(ALD) 등 다양한 박막 성장 공정을 활용하여 2차원 전이금속 칼코게나이드(TMDs) 및 다양한 신소재의 대면적 균일 성장, 결정성 제어, 결함 최소화에 관한 연구를 수행하고 있습니다. 이러한 첨단 소재는 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 극복하고, 고성능·저전력·투명 전자소자 등 미래 지향적 전자기기 구현에 필수적인 역할을 합니다. 특히, 본 연구실은 저전력 소모와 고이동도를 동시에 달성할 수 있는 전계효과 트랜지스터(FET) 및 다양한 광전자소자 개발에 집중하고 있습니다. 2차원 반도체 소재를 기반으로 한 FET는 초저전력, 고속 동작이 가능하며, 금속 접촉 저항 감소, 도핑 제어, 결함 엔지니어링, 이종접합 구조 설계 등 다양한 소자 구조 및 공정 기술을 도입하여 소자의 이동도와 스위칭 특성을 극대화하고 있습니다. 또한, 광전도도, 광감도, 응답속도 등 광전자 특성을 향상시키기 위한 연구도 활발히 진행 중입니다. 이차원 소재의 독특한 물리적·화학적 특성을 활용한 고성능 센서 및 에너지 소자 개발도 본 연구실의 주요 연구 분야입니다. MoS2, WSe2, InSe 등 다양한 2D 소재를 이용한 가스센서, 바이오센서, 광센서 등은 높은 감도와 선택성, 빠른 응답속도를 자랑하며, 열전소자, 초박막 태양전지, 슈퍼커패시터 등 에너지 변환 및 저장 소자 연구도 병행하고 있습니다. 소재의 밴드갭 엔지니어링, 계면 제어, 나노구조 설계 등을 통해 에너지 변환 효율 및 저장 용량을 극대화하고 있습니다. 이와 더불어, 본 연구실은 소재 성장-소자 제작-특성 평가-회로 응용까지 전주기적 연구를 통해 미래 전자산업의 혁신을 선도하고 있습니다. 다양한 국가 및 산업체 연구과제 수행, 특허 출원, 국내외 우수 논문 발표 등 활발한 연구 활동을 통해 학계와 산업계에 기여하고 있습니다. 첨단소재 및 나노전자소자 연구실은 차세대 반도체, 광전자, 센서, 에너지 소자 등 다양한 분야에서 혁신적인 연구를 지속하며, 미래 지능형 전자산업의 핵심 기술 개발과 인재 양성에 앞장서고 있습니다.

materials growthfabricationelectronic deviceslow power consumptionhigh mobility FET
대표 연구 분야
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2D 전이금속 디칼코게나이드 기반 저전력·고신뢰성 트랜지스터 소자 연구 thumbnail
2D 전이금속 디칼코게나이드 기반 저전력·고신뢰성 트랜지스터 소자 연구
Low-power and reliable transistor devices based on 2D transition-metal dichalcogenides
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
3
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1
Review
|
인용수 6
·
2025
Advanced WBG power semiconductor packaging: nanomaterials and nanotechnologies for high-performance die attach paste
Young‐Min Ju, Tae-Wan Kim, Seung-Hyun Lee, Hojin Lee, Jinho Ahn, Hak‐Sung Kim
Nano Convergence
넓은 밴드갭(Wide bandgap, WBG) 전력 반도체는 기존의 실리콘 기반 소자보다 우수하다는 점에서 학계와 산업 양쪽에서 상당한 주목을 받아왔다. WBG 전력 반도체 패키지에서 다이 어태치(die attach) 재료는 소자의 성능과 신뢰성을 극대화하는 데 핵심적인 역할을 한다. WBG 패키지의 다이 어태치 계면은 우수한 열역학-기계적(thermomechanical) 신뢰성을 유지하면서도, 고온 운전 조건(200–300 °C), 고속 스위칭 주파수, 높은 전력 밀도를 견뎌야 한다. 전통적인 다이 어태치 재료는 WBG 소자에 적용할 때 상당한 한계를 보이며, 이로 인해 지난 10년 동안 나노소재 기반 대안에 대한 집중적인 연구가 이루어져 왔다. 본 총설은 현재의 최첨단 나노기반 다이 어태치 기술을 요약한다. 구체적으로는 나노복합(nanocomposite) 솔더, 나노 소결(nano-sintering) 접근법, 그리고 WBG 전력 반도체 패키지를 위해 특별히 설계된 새로운 나노소재 제형을 다룬다. 또한 나노소재 다이 어태치 솔루션의 성능을 뒷받침하는 근본 메커니즘과 WBG 소자의 열 관리(thermal management) 과제를 해결할 수 있는 능력을 분석한다. 더 나아가 열적 사이클링 성능, 전단 강도(shear strength) 안정성, 미세조직(microstructural) 변화의 진화를 평가함으로써, 극한 운전 조건에서의 이들 재료의 신뢰성도 살펴본다.
https://doi.org/10.1186/s40580-025-00503-3
Die (integrated circuit)
Materials science
Nanomaterials
Nanotechnology
Reliability (semiconductor)
Semiconductor
Power semiconductor device
Engineering physics
Power (physics)
Optoelectronics
2
Article
|
·
인용수 2
·
2024
Compositionally Graded MoS2xTe2(1–x)/MoS2 van der Waals Heterostructures for Ultrathin Photovoltaic Applications
Dong Hyun Seo, Guen Hyung Oh, Jong Min Song, Ji Won Heo, Sungjune Park, Hagyoul Bae, Joo Hyung Park, Tae-Wan Kim
IF 8.2 (2024)
ACS Applied Materials & Interfaces
(즉, 0.8, 0.6, 0.5, 0.3 및 0)은 이러한 이종접합에서 Te 도입이 광전변환 성능에 미치는 영향을 탐색할 수 있게 해주었다. 그 결과, Te 농도를 증가시킴에 따라 전력변환효율이 약 6자릿수(6 orders of magnitude) 향상되었으며, 특히 ∼6.4 A/W에 이르는 높은 광응답도(photoresponsivity)가 달성되었다. 이러한 결과는 2D TMDs 기반 이종접합에서 초박막 수준의 태양에너지 변환을 향상시킬 수 있는 가능성을 강조한다.
https://doi.org/10.1021/acsami.4c10637
Heterojunction
Materials science
Molybdenum disulfide
van der Waals force
Ternary operation
Optoelectronics
Chemical vapor deposition
Energy conversion efficiency
Photovoltaic system
Nanotechnology
3
Article
|
·
인용수 3
·
2023
Application of Bifacial Semitransparent CuInSe2 Absorber to the Bottom Cell in Bifacial Semitransparent Perovskite/CuInSe2 Tandem Solar Cell for Albedo Environment
Jin Gi An, Huyen Tran, Dongryeol Kim, Sang Min Lee, Ahreum Lee, Seung Kyu Ahn, Jun‐Sik Cho, Jihye Gwak, Tae-Wan Kim, Inyoung Jeong, Joo Hyung Park
IF 13 (2023)
Small
알베도 환경에서 양면(양면) 발전 가능성이 매력적임에도 불구하고, 태양전지(BS-CISe SCs)에 관한 연구는 지속적으로 요구되고 있다. 공정이 간소화된 단일 단계 동시 증착(single-stage co-evaporation) 방식으로 각각 300 nm 및 800 nm 두께의 흡수층을 갖도록 최적화한 BS-CISe SCs는 각각 전력변환효율(PCE) 6.32%와 10.6%를 나타낸다. 알베도 환경에서 양면 총 2.0 sun 조사를 가정하면, 이들의 양면 발전 밀도(bifacial power generation densities, BPGD)는 각각 9.41%와 13.9%로 증가한다. BPGD를 향상시키기 위해 4단자 양면 반투명 탄뎀 태양전지(4T-BST SCs)를 제작하였으며, 300 nm 및 800 nm 두께의 흡수층을 갖는 BS-CISe 하부 셀 위에 BS-페로브스카이트(PVK) 상부 셀을 기계적으로 적층하여 BPGD를 증대시켰다. 4T-BST SC에서 300 nm 및 800 nm 두께의 BS-CISe SC를 기반으로 했을 때, 상부 및 하부 셀의 최적 PCE를 합산한 값은 각각 18.8%와 21.1%이다. 그러나 양면 총 2 sun 조명 하에서의 실제 BPGD 값은 각각 23.4%와 24.4%로, 이는 흥미로운 결과이다. 이는 BS-CISe 하부 셀의 두께가 후면으로부터 BS-PVK 상부 셀에 전달되는 조사량을 좌우하여, 그 결과 상부 셀의 전류 밀도와 BPGD가 증가하기 때문이다.
https://doi.org/10.1002/smll.202305796
Tandem
Materials science
Energy conversion efficiency
Optoelectronics
Solar cell
Stacking
Stack (abstract data type)
Optics
Current density
Perovskite solar cell
최신 정부 과제
8
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1
2024년 6월-2027년 12월
|375,000,000
극한결함제어를 통한 우주환경극복 고성능 와이드밴드갭 반도체 개발
[최종목표] 극한결함제어를 통한 우주환경극복 고성능 와이드밴드갭 반도체 개발- All-Oxide Peroveskite (AOP) 구조로부터 극한 결함제어를 통한 우주환경극복 고성능 UWBG 반도체 개발하는 것으로 최종 목표로 함. - 페로브 스카이트 산화물의 간 격자 상수 일치율과 안정성을 이용하여 단결정 품질의 이종 박막 성장하고 layer-by-laye...
초고에너지갭
극한환경
초격자산화물
페로브스카이트
에피성장
2
주관|
2021년 4월-2027년 2월
|5,475,000,000
디지털 신기술 인재양성 혁신공유대학사업(차세대반도체)
본 과제는 차세대 반도체 분야를 이끌 인재를 만들기 위한 책임 있는 미래 인재양성 사업임. 연구목표는 다양한 전공 학생에게 진로 탐색 기회 제공을 위해 수준별 맞춤 교육을 운영하여 2,800명/년 이상 인력 양성 달성임. 핵심 연구내용은 초급·중급·고급·전문 단계 포함 11종 교과과정 운영, 산업체 요구 기반 PBL 강좌 연 18개 신설 및 45개 K-MOOC 개설, 유연학사제도 총 92건 운영, 교원 책임시수 감면·성과연봉 지원, 협약 100여개 기업 취업 연계 및 인턴·장학금 제공, KMOOC·교과과정 공동활용 확산과 재직자 교육 실행임. 기대효과는 반도체 비전공 인문·이공계 취업역량 강화 및 수료생의 현장 인터뷰 기반 직무능력 증대임
차세대 반도체
3
주관|
2021년 2월-2024년 2월
|121,300,000
유기금속 화학기상증착법을 이용한 웨이퍼 스케일 이차원 구조 다원화합물 전이금속 디칼코게나이드계 성장 및 차세대 전자소자 응용 기술 개발
(1) 다원화합물 전이금속 디칼코게나이드 이차원 소재 「설계-성장-물성평가-분석」를 통한 광학적/전기적 특성 연구 ▷ 이차원 소재 다원화합물 설계 및 소재 스크리닝 ▷ 조성 제어가 가능한 대면적·고균일 MOCVD 성장 조건 최적화 ▷ 다원화합물 이차원 소재의 광학적 및 전기적 물성 평가 및 분석 (2) 조성비, 상변환 및 도핑 및 밴드갭 제어를 통한 전기적 특성 향상 메커니즘 개발 ▷ 상변환 및 도핑에 따른 금속전도전이/전하밀도 제어 및 캐리어 이동도 향상 연구 ▷ MX2xX´2(x-1), M2xM´2(x-1)X 화합물의 조성비 제어를 통한 전기적 특성 연구 ▷ 분광분석을 통한 도핑에너지 준위 및 밴드갭 분석 (3) 전자소자의 나노구조설계를 통한 저전력·고성능 차세대 소자 개발 ▷ 전자소자 나노구조설계 전략 (터널링 전계효과트랜지스터, 이차원소재 헤테로구조) ▷ High-K 절연체 및 Negative capacitor 물질 적용 전략을 통한 소자성능 증대
차세대 전자소자
이차원소재
유기금속 화학기상증착
저전력 소모 전자소자
전이금속 디칼코게나이드
최신 특허
특허 전체보기
상태출원연도과제명출원번호상세정보
등록2024SOS 구조의 터널링 FET 및 그 제조방법1020240193212
등록2021Te 도핑된 p형 MoS2 필름이 적용된 pFET 디바이스1020210153254
등록2017다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조방법1020170024523-
전체 특허

SOS 구조의 터널링 FET 및 그 제조방법

상태
등록
출원연도
2024
출원번호
1020240193212

Te 도핑된 p형 MoS2 필름이 적용된 pFET 디바이스

상태
등록
출원연도
2021
출원번호
1020210153254

다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조방법

상태
등록
출원연도
2017
출원번호
1020170024523
연구실 하이라이트
연구실의 정보를 AI가 요약해서 키워드 중심으로 정리해두었어요
세계최고
세계 최고 이동도 2D 반도체 기술 확보
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핵심기술
MOCVD 기반 웨이퍼 스케일 2D 소재 양산 기술
AI 요약 확인하기
상용화성공
연구실 창업: 2D 소재 상용화 선도 기업 '투디에피'
AI 요약 확인하기
기술파급력
100만 배 향상된 초박막 2D 이종접합 태양전지
AI 요약 확인하기
연구자역량
소재부터 소자까지, 원스톱 전주기 R&D 역량
AI 요약 확인하기
기업협력
차세대 반도체 핵심 난제, 접촉저항 문제 해결
AI 요약 확인하기
맞춤형 인사이트 리포트
연구실의 전체 데이터를 활용한 맞춤형 인사이트 리포트
연구 트렌드부터 공동 연구 방향성 기획까지
연구실과 같이 할 수 있는게 무엇인지,
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