2D 전이금속 디칼코게나이드 기반 저전력·고신뢰성 트랜지스터 소자 연구

Low-power and reliable transistor devices based on 2D transition-metal dichalcogenides

연구 내용

2D 전이금속 디칼코게나이드 FET/TFET에서 전하 트랩과 계면 결함을 정량 평가하고 도핑·구조 설계를 통해 저전력 스위칭과 안정된 동작을 구현하는 연구

2D 전이금속 디칼코게나이드 채널을 이용해 FET과 TFET의 전기·광학 응답을 통합적으로 분석하고 제어하는 연구를 수행합니다. 게이트 전압 스윕, 온도, 파장 의존 측정을 통해 히스테리시스와 트랩 민감도를 구분하고, Te 치환 치환 도핑을 포함한 접촉 공정으로 계면 저항과 전하 주입을 개선합니다. 또한 MoS2/MoO3/MoS2 수직 이종구조를 통해 누설을 완화하면서 서브테라셔널 구동 특성을 확보하는 설계 전략을 적용합니다.

관련 프로젝트

3건

연구 흐름

초기에는 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 기반 웨이퍼 스케일 2D TMD 성장과 소자 공정 조건을 확보하는 데 집중했습니다. 이후 소자 제작 후에는 전하 트랩이 전기적 전달 특성에 미치는 영향을 온도와 광여기 조건에서 비교 분석하는 방향으로 연구를 확장했습니다. 최근에는 SnSe2 두께 의존 전기·광특성 평가, MoTe2와 WS2의 히스테리시스/트랩 분포 차이 규명, Te 치환 도핑을 통한 접촉 개선, MoS2/MoO3/MoS2 수직 TFET의 서브터미널 구동 구현으로 이어지는 흐름을 보입니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

저전력 TFET 스위칭 구현
임계전압 히스테리시스 억제
전하 트랩 기반 신뢰성 지표 설계
Te 치환 도핑 접촉저항 저감
두께 제어 기반 광전 응답 최적화
수직 이종구조 누설 완화 설계
온도·광 조건 민감도 모델링
계면·벌크 결함 공정 가이드
회로 통합용 소자 파라미터 산정
대면적 2D TMD 성장 공정 조건 확립