SYSTEMS ON NEW INTEGRATED CIRCUITS LAB

융합전자공학부 송익현

SYSTEMS ON NEW INTEGRATED CIRCUITS LAB(융합전자공학부)은 극한 환경 전자공학, 고주파 회로 및 시스템, SiGe HBT 기술을 중심으로 연구를 수행하고 있습니다. 최근 3년간 이 연구실은 방사선 경화 회로 설계 및 단일 이벤트 효과 완화를 위한 SiGe-HBT 바이어스 회로를 이용한 전압 제어 발진기 개발 등 다양한 프로젝트를 성공적으로 수행하였습니다. 또한, SiGe-HBT 저잡음 증폭기와 관련된 여러 논문을 발표하며, 극한 환경에서의 RF 저잡음 증폭기 특성화를 통해 중요한 연구 성과를 거두었습니다. 이 연구실은 다양한 반도체 소자 및 메모리 기술을 바탕으로 한 연구 프로젝트를 진행하며, 기업과의 협력을 통해 혁신적인 R&D 성과를 도출하고 있습니다.

Extreme-Environment Electronics

High-Frequency Circuits

SiGe HBT Technology

대표 연구 분야

연구 영역 전체보기

고주파 회로 및 시스템 연구

고주파 회로 및 시스템 연구는 극한 환경에서의 안정적인 동작과 고주파 대역에서의 저잡음 증폭기를 포함하는 다양한 설계를 다룹니다. 특히, 저잡음 증폭기와 전압 제어 발진기와 같은 고주파 소자를 체계적으로 분석하고, SiGe HBT 기술을 적용하여 성능을 향상시키는 연구를 진행합니다. 이러한 연구는 위성 통신, 레이더, 5G 통신 등 다양한 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다. 실험 결과를 바탕으로 고주파 소자의 모델링과 분석을 통해 신뢰성을 증대시키는 데 주력합니다.

반도체 소자 및 메모리 기술

반도체 소자 및 메모리 기술 연구에서는 차세대 메모리 소자와 관련된 회로 설계 및 분석을 중점적으로 다룹니다. 특히, 변수 저항 메모리와 위상변화 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자의 성능 최적화와 안정성 향상을 목표로 합니다. 이와 더불어 단일 사건 효과와 총 이온화 선량 효과와 같은 방사선 영향에 대한 연구도 수행하며, 이를 통해 메모리 소자의 신뢰성을 높이고 극한 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 합니다. 반도체 소자의 열적 특성과 자체 발열 문제를 해결하는 데에도 집중합니다.

주요 논문

발행물 전체보기

Implementation of 2T-2M Block-Based Reconfigurable Logic Gate by Combining Amorphous InGaZnO ReRAM and Thin-Film Transistors

J. R. Cho, J. Park, S. J. Myoung, T. J. Yang, C. Kim, J.-H. Bae, S.-J. Choi, D. M. Kim, I. Song, D. H. Kim

IEEE Transactions on Electron Devices,

Random Telegraph Noise-Based Analysis of Electron Traps of Sub-30-nm DRAM Cell-Array Transistors in Cryogenic Operation

S. Lee, H.J. Lee, G. W. Yang, S. Choi, J. Park, S. Lee, G.J. Kim, N. Lee, Y. Kim, M. Kang, R.-H. Baek, C. Kim, I. Song, D. H. Kim

IEEE Electron Device Letters,

A Single-Ended-to-Differential Low-Noise Amplifier with Transformer-Based Feedback Network for 3-5 GHz UWB Applications

I. Song, S. G. Kim, S. H. Jung, M.-K. Cho

IEEE Access,