연구 영역
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논문·특허
과제
구성원
Article|
인용수 24
·2023
Revival of Ferroelectric Memories Based on Emerging Fluorite‐Structured Ferroelectrics (Adv. Mater. 43/2023)
Ju Yong Park, Duk‐Hyun Choe, Dong Hyun Lee, Geun Taek Yu, Kun Yang, Se Hyun Kim, Geun Hyeong Park, Seung‐Geol Nam, Hyun Jae Lee, Sanghyun Jo, Bong Jin Kuh, Daewon Ha, Yongsung Kim, Jinseong Heo, Min Hyuk Park
IF 27.4 (2023) Advanced Materials
초록

자발분극(Spontaneous polarization)의 고유한 특성에 기반한 단순한 구조와 동작 방식 때문에, Jinseong Heo, Min Hyuk Park 및 동료들이 논문 번호 2204904에서 검토한 강유전체 전계효과 트랜지스터(ferroelectric field-effect transistors, FeFETs)는 고속 및 전력 효율이 우수한 초고밀도 정보 저장을 위한 유망한 소자로 여겨진다. FeFET을 기반으로 한 포스트(post)-3D-NAND 구조를 제시한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Materials scienceFerroelectricityField-effect transistorPolarization (electrochemistry)TransistorFerroelectric RAMOptoelectronicsFluoriteNAND gateFerroelectric capacitor
타입
Article
IF / 인용수
27.4 / 24
게재 연도
2023