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박민혁 연구실
서울대학교 재료공학부
박민혁 교수
기본 정보
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논문
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박민혁 연구실

서울대학교 재료공학부 박민혁 교수

본 연구실은 하프니아 기반 강유전체·반강유전체 박막과 전자세라믹스를 중심으로 계면·전극·응력 제어를 통한 물성 향상 연구를 수행하며, 이를 바탕으로 FeFET, FeRAM, 멤리스터, PIM 및 뉴로모픽 컴퓨팅용 차세대 저전력 지능형 반도체 소자와 집적 플랫폼을 개발하고 있다.

대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
하프니아 기반 강유전체·반강유전체 박막 소재 thumbnail
하프니아 기반 강유전체·반강유전체 박막 소재
연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.

5개년 연도별 논문 게재 수

88총합

5개년 연도별 피인용 수

3,507총합
주요 논문
3
논문 전체보기
1
article
|
hybrid
·
인용수 1
·
2025
Ferroelectric Quantum Dots for Retinomorphic In‐Sensor Computing
Tingyu Long, Huanyu Zhou, Jaewan Ko, Hongwei Tan, Jaemin Lim, Yanfei Zhao, Daewoong Kang, E. Yoon, Gyeong‐Tak Go, Somin Kim, Seung‐Woo Lee, Chan‐Yul Park, Hyojun Choi, Hyeran Kim, Hyung Joong Yun, Sung Hyuk Park, Kwan Sik Park, Jeong Woo Park, Minjae Kim, Yong Soo Cho, Ho Won Jang, Wenqiang Yang, Min Hyuk Park, Wan Ki Bae, Sebastiaan van Dijken, Joona Bang, Tae‐Woo Lee
Advanced Materials
Quantum dots (QDs) offer significant potential for neuromorphic machine vision, owing to their high absorption coefficients, and to absorption that spans the ultraviolet-to-visible range. However, their practical application faces critical challenges in achieving accurate target recognition and tracking in low-light and dynamically-changing environments. A fundamental limitation is a result of the exciton-confinement effect of QDs, which impedes efficient exciton dissociation. To overcome this problem, we synthesized ferroelectric QDs (FE-QDs) that are functionalized with thiol-terminated polyvinylidene fluoride (PVDF-SH) ligands, and empolyed them as the photo-sensitive floating gate in an organic synaptic transistor. When a polarization voltage is applied to the organic synaptic transistors, the FE-QD film generates an electric field that counteracts exciton confinement. The process substantially facilitates exciton dissociation in QDs, and regulates charge accumulation in the channel layer. Integrated with machine learning algorithms, the QD-based device achieved 100% accuracy in detecting simulated car motion in low-light environments, highlighting the potential of adaptive, dynamic sensing technologies for applications in night vision, autonomous driving, and intelligent transportation systems.
https://doi.org/10.1002/adma.202504117
Materials science
Ferroelectricity
Quantum dot
Nanotechnology
Quantum sensor
Optoelectronics
Quantum computer
Engineering physics
Quantum
Quantum network
2
review
|
인용수 584
·
2022
The fundamentals and applications of ferroelectric HfO2
Uwe Schroeder, Min Hyuk Park, Thomas Mikolajick, Cheol Seong Hwang
IF 83.5 (2022)
Nature Reviews Materials
https://doi.org/10.1038/s41578-022-00431-2
Ferroelectricity
Materials science
Engineering physics
Nanotechnology
Polarization (electrochemistry)
Phase (matter)
Optoelectronics
Dielectric
Chemistry
Physics
3
review
|
bronze
·
인용수 14
·
2022
Publisher Correction: The fundamentals and applications of ferroelectric HfO2
Uwe Schroeder, Min Hyuk Park, Thomas Mikolajick, Cheol Seong Hwang
IF 83.5 (2022)
Nature Reviews Materials
https://doi.org/10.1038/s41578-022-00443-y
Ferroelectricity
Materials science
Nanotechnology
Engineering physics
Optoelectronics
Physics
최신 정부 과제
27
과제 전체보기
1
2025년 3월-2028년 12월
|3,000,000,000
차세대 지능형반도체 Lab to Fab 스케일업 기반 구축
- CMOS 소자와 지능형소자가 융합된 차세대 지능형반도체 Lab to Fab 스케일업 플랫폼 기술을 바탕으로 국내 연구자의 차세대 지능형반도체 기술개발 및 검증용 특화 MPW 지원을 목표로 함.
지능형반도체
멤리스터
상보형 금속산화 반도체
인공지능
테스트베드
2
2025년 3월-2027년 12월
|200,000,000
강유전체 기반 임플리케이션 논리 게이트를 활용한 트랜지스터리스 1-커패시터 셀 어레이의 상태 유지 연산 기술 개발 및 연구
본 과제의 최종 목표는 "트랜지스터리스 1-커패시터 셀 어레이 기반 로직 게이트 및 FeCAP 메모리 기술 개발" 임1) FeCAP 기반 메모리 기술 개발 : 트랜지스터리스 1-커패시터 셀 어레이를 활용하여 Disturbance free 한 메모리 기술을 개발하고자함.2) FeCAP를 활용한 IMPLY logic 기술 개발: FeCAP 을 활용하여 IMP...
반도체재료
프로세싱 인 메모리
논리회로
강유전체 기반 램
강유전체
3
2025년 3월-2028년 12월
|4,000,000,000
차세대 지능형반도체 Lab to Fab 스케일업 기반 구축
- CMOS 소자와 지능형소자가 융합된 차세대 지능형반도체 Lab to Fab 스케일업 플랫폼 기술을 바탕으로 국내 연구자의 차세대 지능형반도체 기술개발 및 검증용 특화 MPW 지원을 목표로 함.
지능형반도체
멤리스터
상보형 금속산화 반도체
인공지능
테스트베드
최신 특허
특허 전체보기
상태출원연도과제명출원번호상세정보
공개2025W 전극 텍스쳐 제어를 통한 산화하프늄-산화지르코늄(HZO) 유전체층 기반 저전력 금속-강유전체-금속 커패시터 및 제조방법1020250026929
공개2025원자층 증착법 기반 TiN 전극의 우선 배향성 제어 기술 및 제조 방법1020250015366
등록2024강유전체 터널 접합 소자 및 이를 포함하는 메모리 장치1020240040698
전체 특허

W 전극 텍스쳐 제어를 통한 산화하프늄-산화지르코늄(HZO) 유전체층 기반 저전력 금속-강유전체-금속 커패시터 및 제조방법

상태
공개
출원연도
2025
출원번호
1020250026929

원자층 증착법 기반 TiN 전극의 우선 배향성 제어 기술 및 제조 방법

상태
공개
출원연도
2025
출원번호
1020250015366

강유전체 터널 접합 소자 및 이를 포함하는 메모리 장치

상태
등록
출원연도
2024
출원번호
1020240040698

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