2D 재료에 기반한 고성능 광전자 소자의 개발은 상당한 관심을 끌고 있다. 그러나 기존의 수직 적층 방법은 복잡한 공정과 계면 결함에 의해 제한된다. 이러한 문제를 극복하기 위해, 단일 n형 황화주석(주석 이황화물, SnS 2 ) 플레이크 내에서 직접 레이저 조사를 통해 in-plane 동종접합(in-plane homojunction)을 형성하는 간단하고 효율적인 1단계 공정을 제안한다. 핵심 공정인 산화 박막화(oxidative thinning)는 집광된 532 nm 레이저를 사용하여 SnS 2 의 일부를 국소적으로 산화주석(SnO x )으로 전환한다. 그 결과, 약 0.7 eV의 일함수(work-function) 차이에 기인한 에너지 장벽이 계면에 형성되어 광생성 전자-정공 쌍의 분리를 촉진한다. 제작된 포토디텍터는 빠른 응답 시간(τ r /τ f = 474/299 ms)을 보이며, 이는 원래의 SnS 2 소자에 비해 수십 배 수준으로 향상된 것이다. 또한 높은 책임률(responsivity, R) 703 mA W −1 , 외부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE) 170%, 탁월한 비검출도(specific detectivity, D * ) 2.35 × 10 14 Jones를 나타내며, 더불어 우수한 작동 안정성을 보인다. 본 연구에서 제시한 레이저 유도 국소 전환 기술은 차세대 유연하고 웨어러블(wearable) 광전자 소자를 개발하기 위한 강력하고 실용적인 플랫폼을 제공할 수 있다.

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