권혁준 교수 연구실
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·2025
Hole Current Enhancement Using W 1– x Cr x Se 2 Alloy Interface for p-Type WSe 2 FETs
Young-Jun Sim, Junil Kim, Jieun Lee, Byeongmoon Lee, Jae Eun Jang, Hyuk‐Jun Kwon
IF 8.2ACS Applied Materials & Interfaces
초록
, 향후 확장된 CMOS 기술에서 TMD 기반 상보 논리의 통합을 향한 중요한 단계를 제공한다.
*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.
키워드
Tungsten diselenideAmbipolar diffusionSchottky barrierContact resistanceTransistorAlloyCMOSAnnealing (glass)Semiconductor