산화베릴륨(BeO)은 넓은 밴드갭(10.6 eV), 높은 유전상수(), 높은 벌크 열전도도()와 같은 매력적인 특성으로 인해 고전력, 고주파 소자뿐만 아니라 Si 기반 CMOS 기술에서도 게이트 유전체로서 큰 잠재력을 보인다. 벌크 열전도도가 높은 유전체 재료로서 BeO는 유망한 후보이지만, 특히 박막에서의 열전도도에 관한 문헌은 여전히 제한적이다. 본 연구에서는 Si 기판 위에 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD)으로 성장시킨 두께 30~105 nm의 BeO 박막의 열전도도를 보고한다. 주파수 영역 열반사법(frequency-domain thermoreflectance)을 사용하여 BeO 박막의 유효 열전도도를 측정하였으며, 이는 2.4에서 범위에 해당한다. BeO 박막의 유효 열전도도는 , 및 TiO2와 같은 다른 PEALD 기반 고-k 재료의 열전도도보다 유의하게 높다. 이러한 결과는 BeO 박막의 잠재적 응용 가능성에 대한 통찰을 제공한다.
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