Current Rectification in a Sub-2 nm CNT/V-Doped WS 2 /MoS 2 /CNT Vertical Monolayer P–N Diode
Van Dam, Văn Tú Vũ, Van Cao Nguyen, Vu Khac Dat, Whan Kyun Kim, Thi Uyen Tran, Minh Chien Nguyen, Ngoc Thanh Duong, Anthony Cabanillas, Huamin Li, Woo Jong Yu
IF 17.3 (2025) ACS Nano
초록
V-유도 트랩 상태에 광생성 전자가 포획됨으로 인해 계면에서 발생한다. 수직 vdW 이종구조에서의 빠른 전하 전달의 이점을 바탕으로, 우리의 1Ls-VPNJ-VE는 하강 및 상승 시간이 각각 0.9 μs 및 1.1 μs인 빠른 광응답을 보이며, 이는 이전의 1Ls-VPNJ-PE보다 약 100배 더 빠르다.
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키워드
RectificationQuantum tunnellingMonolayerHeterojunctionBand bendingvan der Waals forceCurrent (fluid)Schottky barrierDiode