유우종 연구실
성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과
유우종 교수
2차원 반도체
전이금속 디칼코겐화물
반데르발스 이종접합
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유우종 연구실
성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과 유우종 교수
유우종 연구실은 반도체 소자/회로 관점에서 나노 반도체 물리와 소자 구현을 결합하는 연구를 수행합니다. 그래핀 및 전이금속 디칼코겐화물(TMD) 계열에서 Nb 도핑과 수직·측면 이종접합을 설계하고 합성하여 접촉 저항, 밴드 정렬, 광검출 동작을 평가합니다. 또한 부유게이트 멤리스터, 상전이형 멤리스터 등 레지스티브 스위칭 기반 소자로 스파이킹 뉴럴 네트워크의 뉴런-시냅스 동작과 학습을 구현하며, 웨이퍼 스케일 어레이 통합과 엣지 AI 회로 적용을 함께 진행합니다. 이외에도 CNT-분자 적층 기반 페로일렉트릭 메모리와 그래핀 기반 바이오센싱용 유니버설 바이오 프로세서 개발을 병행합니다.
2차원 반도체전이금속 디칼코겐화물반데르발스 이종접합그래핀 소자플로팅게이트 멤리스터
대표 연구 분야
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부유게이트 멤리스터 기반 뉴로모픽 학습·추론 소자 연구
Floating-gate memristor based neuromorphic learning and inference research
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부유게이트 멤리스터 기반 뉴로모픽 학습·추론 소자 연구
Floating-gate memristor based neuromorphic learning and inference research
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TMD/그래핀 이종접합 기반 PN 포토다이오드·수직 다이오드 소자 연구
TMD/graphene heterostructure based PN photodiodes and vertical diode devices research
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van der Waals 나노접합 기반 페로일렉트릭/스핀 정보저장 및 그래핀 바이오센싱 융합 연구
vdW nanojunction based ferroelectric/spintronic information storage and graphene biosensing research
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
5
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1
Article
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인용수 3
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20251,000,000 On/Off Ratio in Sub-1 nm Channel Length Carbon Nanotube/Monolayer MoS2/Carbon Nanotube Vertical Transistors
Van Dam, Ngoc Thanh Duong, Văn Tú Vũ, Minh Chien Nguyen, Vu Khac Dat, Hai Phuong Duong, Dinh Phuc, Thanh Luan Phan, Hong Woon Yun, Seong Chu Lim, Anthony Cabanillas, Huamin Li, Woo Jong Yu
IF 17.3 (2025)
ACS Nano
/CNT VFET.
https://doi.org/10.1021/acsnano.5c04746
Carbon nanotube
Carbon nanotube field-effect transistor
Materials science
Monolayer
Carbon nanotube quantum dot
Nanotube
Nanotechnology
Transistor
Potential applications of carbon nanotubes
Channel (broadcasting)
2
Article
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인용수 4
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2025Robust Metal and Semiconductor Phase Transition Memristor Using Ag‐Intercalated Transition Metal Dichalcogenide
Whan Kyun Kim, Gil Young Cho, Thi Thanh Huong Vu, Jun Sun Son, Yong Ha Shin, Hong Woon Yun, Min Seok Kim, Yong Seon Shin, Heejun Yang, Woo Jong Yu
IF 29.1 (2025)
Advanced Materials
PTMEM은 고도화된 메모리 기반 신경망 응용을 위한 큰 잠재력을 지닌다.
https://doi.org/10.1002/adma.202516115
Memristor
Transition metal
Phase transition
Intercalation (chemistry)
Doping
Ion
Raman spectroscopy
Phase (matter)
3
Article
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인용수 4
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2024High Electrical Conductance in Magnetic Emission Junction of Fe3GeTe2/ZnO/Ni Heterostructure via Selective Spin Emission through ZnO Ohmic Barrier
Whan Kyun Kim, Namgun Kim, Mi Hyang Park, Yong Ha Shin, Gil Young Cho, Giheon Kim, Woo Jong Yu
IF 26.8 (2024)
Advanced Materials
이는 그에 의해 차단됩니다. FGT/FGT/ZnO/Ni 이종구조에서는 MTJ(FGT/FGT)에서의 양의 MR과 MEJ(FGT/ZnO/Ni)에서의 음의 MR을 각각 결합함으로써 MR 비율이 추가로 증가합니다. 그 결과 FGT-MEJ는 다른 2D-MTJ에 비해 10-1000배 더 높은 도전도를 보이며, MR 비율은 다른 2D-MTJ와 유사하게 유지됩니다.
https://doi.org/10.1002/adma.202409822
Materials science
Heterojunction
Ohmic contact
Condensed matter physics
Ferromagnetism
Quantum tunnelling
Magnetoresistance
Conductance
Fermi level
Electron
최신 정부 과제
50
과제 전체보기
1
2025년 3월-2027년 12월
|173,000,000원다단자, 단기 플로팅게이트의 시간-공간적 합산을 이용한 합성곱 신경망 풀링층 구현
o 다단자, 단기 플로팅게이트 멤리스터(MT-ST-FGMEM)을 이용한 2차원(행열) 풀링층 및 풀링층-퍼셉트론층 통합 합성곱 신경망 하드웨어 개발.- 본 연구 개발의 최종 목표로 다단자, 단기 플로팅게이트 멤리스터(MT-ST-FGMEM)을 이용한 풀링층을 이용한 2차원 이미지 풀링 후, 그 결과를 기개발한 2단자, 장기 플로팅게이트 멤리스터(2T-LT-F...
합성곱 신경망
풀링층
레저버 컴퓨팅
플로팅게이트멤리스터
뉴로모픽 시스템
2
2025년 3월-2027년 12월
|143,000,000원다단자, 단기 플로팅게이트의 시간-공간적 합산을 이용한 합성곱 신경망 풀링층 구현
o 다단자, 단기 플로팅게이트 멤리스터(MT-ST-FGMEM)을 이용한 2차원(행열) 풀링층 및 풀링층-퍼셉트론층 통합 합성곱 신경망 하드웨어 개발.- 본 연구 개발의 최종 목표로 다단자, 단기 플로팅게이트 멤리스터(MT-ST-FGMEM)을 이용한 풀링층을 이용한 2차원 이미지 풀링 후, 그 결과를 기개발한 2단자, 장기 플로팅게이트 멤리스터(2T-LT-F...
합성곱 신경망
풀링층
레저버 컴퓨팅
플로팅게이트멤리스터
뉴로모픽 시스템
3
2024년 6월-2027년 6월
|688,000,000원엣지 AI 컴퓨팅을 위한 에너지 고효율 2차원 뉴로모픽 소자 및 회로 개발
● 본 한국-EU 공동과제는 "엣지 AI 컴퓨팅을 위한 에너지 고효율 2차원 뉴로모픽 소자 및 회로 개발 (Energy-Efficient neuromorphic 2D devices and circuits for edge AI computing : ENERGIZE)" 로써, 2D 소재 기반 저전력/고성능/고집적/고균일 뉴럴 네트워크 어레이 개발 및 이를 활용...
2차원 물질
2D 뉴로모픽 디바이스
멤리스터
엣지 컴퓨팅
인공 신경망
최신 특허
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반도체 소자 및 그의 제조방법
상태
등록출원연도
2024출원번호
1020240075057쇼트키 장벽 변화 기반 스트레인 센서
상태
등록출원연도
2018출원번호
1020180156006수직 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법
상태
등록출원연도
2018출원번호
1020180026684