CNT-molecule-CNT (1D-0D-1D) van der Waals integration ferroelectric memory with 1-nm2 junction area
Thanh Luan Phan, Sohyeon Seo, Yunhee Cho, Quoc An Vu, Young Hee Lee, Dinh Loc Duong⧫, Hyoyoung Lee, Woo Jong Yu
IF 16.6 (2022) Nature Communications
초록
), 이는 vdWI에서 달성한 최소 접합 면적을 통해 이전 연구보다 100배 더 높은 수치이다. 정렬된 CNT를 단순 적층(4 × 4)함으로써 메모리 어레이(16개 접합)를 고장 없는 높은 소자 동작 수율(100%)과 함께 집적할 수 있으며, 이는 향후 분자 전자소자에 대한 집적 지침을 제공한다.
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키워드
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