임상호 연구실은 자성재료의 설계와 박막 나노구조의 개발에 중점을 두고 있습니다. 특히, 스퍼터링, 플라즈마 이온 주입, 고에너지 자성층 증착 등 다양한 박막 제조 기술을 활용하여 자성 박막의 자기적 특성과 구조적 특성을 정밀하게 제어하는 연구를 수행하고 있습니다. 이를 통해 자성 박막의 자기이방성, 자기저항, 자기냉각 등 다양한 물리적 현상을 심층적으로 분석하고, 나노스케일에서의 계면 효과와 미세구조 변화가 자기적 특성에 미치는 영향을 규명합니다. 연구실은 Pt/Co, CoFeB/Pd, Fe-Zr 등 다양한 다층 자성 박막 시스템을 대상으로, 계면 품질, 층간 교환 결합, 자기이방성 제어 등 첨단 자기소자에 필수적인 핵심 기술을 개발하고 있습니다. 또한, 박막의 두께, 조성, 열처리 조건 등 공정 변수에 따른 자기적 특성의 변화와 그 메커니즘을 체계적으로 연구하여, 고성능 자기메모리, 센서, 스핀트로닉스 소자 등에 적용 가능한 최적의 자성재료 설계 방안을 제시합니다. 이러한 연구는 차세대 정보 저장 및 처리 소자, 고감도 자기센서, 에너지 효율적 자기냉각 시스템 등 다양한 산업 분야에 응용될 수 있습니다. 임상호 연구실은 자성재료의 근본적 물성 이해와 더불어, 실용화가 가능한 고성능 자성 박막 및 나노구조 개발을 통해 신소재공학의 발전에 기여하고 있습니다.

임상호 연구실은 스핀트로닉스와 자기메모리(MRAM) 소자 개발 분야에서 선도적인 연구를 수행하고 있습니다. 연구실은 수직 자기이방성(PMA)을 갖는 다층 박막 구조, 합성 페리자성체, 스핀 밸브, 자기 터널 접합(MTJ) 등 첨단 스핀트로닉스 소자의 핵심 구조와 동작 원리를 심도 있게 탐구합니다. 특히, 스핀-궤도 토크(SOT), 스핀 홀 효과, 계면 효과 등 최신 스핀트로닉스 현상을 실험적·이론적으로 분석하여, 저전력·고속 동작이 가능한 차세대 비휘발성 메모리 소자 구현을 목표로 하고 있습니다. 연구실은 자기메모리 소자의 열적 안정성, 임계 스위칭 전류, 계면 품질, 자기적 에너지 배리어 등 소자 신뢰성과 성능을 좌우하는 핵심 인자들을 정밀하게 측정하고 해석합니다. 이를 위해 마이크로마그네틱 시뮬레이션, 해석적/수치적 모델링, 다양한 자기적·전기적 측정 기법을 활용하여, 소자 구조 최적화와 신뢰성 향상에 기여하고 있습니다. 또한, 특허와 논문을 통해 새로운 자기메모리 구조 및 제조 방법을 지속적으로 제안하고 있습니다. 이러한 연구는 고집적·고속·저전력 메모리 소자, 인공지능 하드웨어, 차세대 컴퓨팅 시스템 등 미래 정보기술 산업의 핵심 기반을 마련하는 데 중요한 역할을 하고 있습니다. 임상호 연구실은 스핀트로닉스와 자기메모리 분야에서 세계적 수준의 연구 역량을 바탕으로, 혁신적인 소자 기술 개발에 앞장서고 있습니다.