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·2018
(Invited) Catalytic Chemical Vapor Deposition Technology for Low Temperature Processing of Thin Film Transistors
Wan‐Shick Hong
ECS Transactions
초록

휘어지고 웨어러블한 디바이스 응용을 위해서는 보통 일반적인 플라스틱 시트의 유리전이온도보다 낮은 수준의 충분히 낮은 처리 온도를 확보할 필요가 있다. 촉매 화학 기상 증착(catalytic chemical vapor deposition, Cat-CVD) 기술은 필름 성장 속도가 빠르고 가스 이용 효율이 높다는 등의 다양성과 장점으로 잘 알려져 있다. 이러한 장점들은, 대전된 입자의 폭격으로 인해 발생하는 원자 규모의 손상이 없다는 점과 결합되어, 박막 트랜지스터의 저온 공정 응용에 이 방법을 매력적으로 만든다. 본 총설에서는 촉매 화학 증착 공정에서의 필름 성장 거동을 논의하고, 표면 전처치를 포함한 최근 연구들을 바탕으로 박막 트랜지스터 적용 현황을 조사한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
Chemical vapor depositionThin-film transistorMaterials scienceThin filmCombustion chemical vapor depositionTransistorNanotechnologyDeposition (geology)OptoelectronicsCatalysis
타입
Article
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게재 연도
2018