휘어지고 웨어러블한 디바이스 응용을 위해서는 보통 일반적인 플라스틱 시트의 유리전이온도보다 낮은 수준의 충분히 낮은 처리 온도를 확보할 필요가 있다. 촉매 화학 기상 증착(catalytic chemical vapor deposition, Cat-CVD) 기술은 필름 성장 속도가 빠르고 가스 이용 효율이 높다는 등의 다양성과 장점으로 잘 알려져 있다. 이러한 장점들은, 대전된 입자의 폭격으로 인해 발생하는 원자 규모의 손상이 없다는 점과 결합되어, 박막 트랜지스터의 저온 공정 응용에 이 방법을 매력적으로 만든다. 본 총설에서는 촉매 화학 증착 공정에서의 필름 성장 거동을 논의하고, 표면 전처치를 포함한 최근 연구들을 바탕으로 박막 트랜지스터 적용 현황을 조사한다.

휘어지고 웨어러블한 장치 응용을 위해서는, 일반적으로 통상의 플라스틱 시트의 유리전이온도(glass transition temperature)보다 낮은 수준의 충분히 낮은 처리 온도를 확보할 필요가 있다. 그러나 이러한 저온에서 허용 가능한 수준의 전자 결함을 포함하는 무기(비유기) 박막을 얻는 것은 매우 어렵다. 저온 박막의 전기적 특성을 개선하기 위한 다양한 시도가 이루어졌으나, 대부분의 노력은 증착 속도를 상당히 저하시키는 결과를 초래하였다. 촉매 화학 기상 증착(catalytic chemical vapor deposition) 기술(Cat-CVD)은 다기능성 및 빠른 박막 성장 속도, 높은 가스 이용 효율과 같은 장점으로 잘 알려져 있다. 또한 이 방법은 대전된 입자의 폭격(bombardment)에 의해 야기되는 원자 규모의 손상이 없다는 점과 결합되어, 박막 트랜지스터의 저온 공정에 대한 응용에서 매력적이다. 이 기법은 아직 산업적 구현으로 가는 과정에서 몇 가지 장애물을 극복하기 위해 분투하고 있지만, 공정 변수의 다양한 조합을 시도할 때 단지 흥미로운 현상을 발견하는 데 그치지 않고, 저온 표면에서 라디칼과 원자의 거동을 이해하는 데에도 빛을 비출 수 있는 강력한 연구 도구이다. 본 발표에서는 촉매 화학 증착 과정에서의 박막 성장에 관한 모델을 논의하고, 표면 전처리(surface pre-treatment)를 포함한 최근 연구들을 박막 트랜지스터 응용 관점에서 조사한다.