질화규소 박막은 촉매 화학기상증착(catalytic chemical vapor deposition) 기법을 사용하여 100 o C에서 증착하였다. 소스 가스 혼합비 R N = [NH 3 ] / [SiH 4 ]는 10에서 30까지 변화시켰고, 수소 희석비 R H = [H 2 ] / [SiH 4 ]는 20에서 100까지 변화시켰다. 항복 전계 강도는 R N = 20 및 R H = 20에서 최대값에 도달한 반면, 동일한 시료에서 비저항은 감소하였다. 상대 유전율은 항복 전계 강도와 양의 상관관계를 보였다. 정전용량-전압 임계 곡선은 비대칭 히스테리시스 루프를 나타냈으며, R H가 증가할수록 더 직사각형에 가깝게 형성되었다. 히스테리시스 윈도우의 폭은 전이 영역의 기울기와 음의 상관관계를 보였는데, 이는 R N과 R H의 결합 효과가 계면 결함을 극복하는 동시에 벌크 영역에 전하 저장 자리를 형성함을 시사한다.

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