반도체 재료로서 SiGe 기판을 사용하는 것이 고유한 특성에 의해 점차 증가하고 있다. 고성능 소자를 제조하기 위해서는 SiGe 선택식 식각 기술을 개발할 필요가 있다. 본 연구에서는 선택식 식각 과정을 조사하기 위해 서로 다른 게르마늄 함량(15, 25, 40 %)을 갖는 SiGe 에피 및 산화물 기판을 사용하였다. 식각액으로 APM(1:4:20) 용액을 사용하였고, pH 효과를 확인하기 위해 HF와 HCl을 추가하였다. 평가는 pH 수준을 조절하면서 수행하였다. SiGe 에피 기판의 경우, 고pH에서는 식각 속도가 매우 낮았으나 특정 pH에서 식각 속도가 빠르게 증가하였다. 이후 식각 속도는 점차 감소하였다. 반면, 산화물 기판의 식각 속도는 pH가 감소함에 따라 빠르게 증가하였다. 게르마늄 함량의 차이와 기판 종류에 따른 식각 속도 거동을 설명하기 위해, 표면 화학을 측정하고 용액의 종분화(speciation)를 분석하였다.

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