김태곤 연구실
한양대학교 스마트융합공학부
김태곤 교수
반도체 CMP
Post-CMP 세정
PVA 브러시
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김태곤 연구실
한양대학교 스마트융합공학부 김태곤 교수
김태곤 연구실은 반도체 공정에서 CMP 이후 표면 오염과 결함을 제어하기 위한 세정 기술을 연구합니다. 특히 PVA brush 기반 post-CMP cleaning에서 슬러리 입자, 첨가제, 구리 이온이 브러시-표면 계면에 미치는 영향을 규명하고, density functional theory 해석을 병행합니다. 또한 SiC 기판용 고청정 세정액 조성을 개발하여 오염 입자 및 식각 잔사로 인한 결함을 저감합니다. 더불어 3D 패키징 입체구조의 대면적 자동 검사를 위해 디지털 홀로그래픽 현미경 기반 비접촉 계측 장비를 구축합니다.
반도체 CMPPost-CMP 세정PVA 브러시Cu 하이브리드 본딩SiC 고청정 세정액
대표 연구 분야
연구 영역 전체보기
Cu CMP 후 브러시 세정에서 오염 및 화학적 결합 제어
Contamination and chemical bonding control in Cu post-CMP brush cleaning
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Cu CMP 후 브러시 세정에서 오염 및 화학적 결합 제어
Contamination and chemical bonding control in Cu post-CMP brush cleaning
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SiC 기판용 고청정 세정액 개발 및 결함 저감 공정
Development of high-purity cleaning solutions for SiC substrates and defect reduction
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3D 패키징 대면적 자동 광학 검사용 디지털 홀로그래피 계측
Digital holography-based automated optical inspection for large-area 3D packaging
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
3
논문 전체보기
1
Article
|
·
인용수 5
·
2025Effect of the additives on controlling ceria-brush chemical bonding during post-CMP cleaning
Samrina Sahir, Kwang-Min Han, Sanjay Bisht, Tae‐Gon Kim, Jin-Goo Park
IF 4.6 (2025)
Materials Science and Engineering B
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2025.118177
Brush
Materials science
Chemical engineering
Cleaning agent
Chemistry
Nanotechnology
Metallurgy
Composite material
Organic chemistry
2
Article
|
·
인용수 5
·
2025Interaction study of copper ions and polyvinyl acetal (PVA) brush during copper post-CMP cleaning: Experimental and density functional theory study
Sanjay Bisht, Maheepal Yadav, Byung Hyun Kim, Tae‐Gon Kim, Jin Goo Park
IF 6.9 (2025)
Applied Surface Science
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.162858
Copper
Brush
Ion
Polyvinyl alcohol
Acetal
Chemistry
Chemical engineering
Density functional theory
Inorganic chemistry
Materials science
3
Article
|
·
인용수 16
·
2022Effect of slurry particles on PVA brush contamination during post-CMP cleaning
Samrina Sahir, Hwi-Won Cho, Palwasha Jalalzai, Suprakash Samanta, Satomi Hamada, Tae‐Gon Kim, Jin-Goo Park
IF 4.1 (2022)
Materials Science in Semiconductor Processing
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107043
Brush
Slurry
Abrasive
Data scrubbing
Contamination
Materials science
Chemical-mechanical planarization
Stripping (fiber)
Chemical engineering
Composite material
최신 정부 과제
8
과제 전체보기
1
2025년 3월-2029년 12월
|233,480,000원고품질 Cu 하이브리드 본딩 공정을 위한 Cu dishing 조절 CMP slurry 설계 및 Post-CMP cleaning 원천 기술 개발
● HBM향 hybrid Cu Bonding Interface Ability 연관성 연구● HBM향 hybrid Cu Bonding CMP 및 세정 평가를 위한 계측 및 검사 기술 개발● HBM향 hybrid Cu Bonding CMP 공정 및 슬러리 개발● HBM향 hybrid Cu Bonding post-CMP 세정 공정 및 세정액 개발● 박사 8명 및...
고대역폭 메모리
하이브리드 본딩
구리 디싱 제어
화학적 기계적 연마
화학적 기계적 연마 후 세정
2
2022년 3월-2024년 12월
|169,920,000원고전력 반도체 용 SiC 기판 세정을 위한 고청정 세정액 개발 및 이를 이용한 세정 기술 개발
o 금속/유기물/Particle 동시 제거 가능한 세정액 개발- 계면활성제와 산화제 Chelating agent와 같은 세정액 내의 첨가제의 영향 평가- 메가소닉, PVA 브러쉬, single cleaner, Batch cleaner에 적합한 세정액 연구o SiC 기판 세정공정 기술 최적화 연구개발 - 개발된 세정액의 최적화를 통한 고청정 세정 기술 확보...
탄화규소
세정액
오염 입자
식각액
결함
3
협동|
2022년 3월-2024년 12월
|160,800,000원고전력 반도체 용 SiC 기판 세정을 위한 고청정 세정액 개발 및 이를 이용한 세정 기술 개발
본 과제는 SiC(탄화규소) 기판의 연마·세정·식각을 더 정확히 하도록, 오염과 결함이 생기는 원리와 최적 화학액 조건을 찾는 연구임.
연구목표는 SiC 기판 세정 원리 규명과 SiC 세정액 개발을 위한 산화제·식각제 평가, 오염 원인 및 Defect 형성 기구 규명을 위한 분석 기반 기술 확보임. 핵심내용은 문헌/특허 조사로 반응 화학액 조건을 정리하고, 마이크로 유체기술로 식각율·산화율을 정밀 스크리닝함. Spectroscopy ellisopmetry, AFM, 접촉각, 제타 전위, FTIR-ATR, SIMS, ICP-MS/ICP-OES, KLA CS10으로 표면화학·입자·유기물·금속 이물의 정량 분석을 수행함. 기대효과는 SiC 습식세정 공정의 재현성 향상과 결함 저감용 세정액 및 조건 확보됨.
탄화규소
세정액
오염 입자
식각액
결함
최신 특허
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전체 특허
펠리클 세정 방법, 및 펠리클 세정 장치
상태
취하출원연도
2020출원번호
1020200067481극자외선 리소그래피용 마스크의 세정 방법 및 세정 장치
상태
등록출원연도
2008출원번호
1020080050846반도체 패턴 구조물의 정보 측정 및 분석 방법
상태
등록출원연도
2007출원번호
1020070097838