고품질 Cu 하이브리드 본딩 공정을 위한 Cu dishing 조절 CMP slurry 설계 및 Post-CMP cleaning 원천 기술 개발
● HBM향 hybrid Cu Bonding Interface Ability 연관성 연구● HBM향 hybrid Cu Bonding CMP 및 세정 평가를 위한 계측 및 검사 기술 개발● HBM향 hybrid Cu Bonding CMP 공정 및 슬러리 개발● HBM향 hybrid Cu Bonding post-CMP 세정 공정 및 세정액 개발● 박사 8명 및...
고대역폭 메모리
하이브리드 본딩
구리 디싱 제어
화학적 기계적 연마
화학적 기계적 연마 후 세정
2
2022년 3월-2024년 12월
|169,920,000원
고전력 반도체 용 SiC 기판 세정을 위한 고청정 세정액 개발 및 이를 이용한 세정 기술 개발
o 금속/유기물/Particle 동시 제거 가능한 세정액 개발- 계면활성제와 산화제 Chelating agent와 같은 세정액 내의 첨가제의 영향 평가- 메가소닉, PVA 브러쉬, single cleaner, Batch cleaner에 적합한 세정액 연구o SiC 기판 세정공정 기술 최적화 연구개발 - 개발된 세정액의 최적화를 통한 고청정 세정 기술 확보...
탄화규소
세정액
오염 입자
식각액
결함
3
협동|
2022년 3월-2024년 12월
|160,800,000원
고전력 반도체 용 SiC 기판 세정을 위한 고청정 세정액 개발 및 이를 이용한 세정 기술 개발
본 과제는 SiC(탄화규소) 기판의 연마·세정·식각을 더 정확히 하도록, 오염과 결함이 생기는 원리와 최적 화학액 조건을 찾는 연구임.
연구목표는 SiC 기판 세정 원리 규명과 SiC 세정액 개발을 위한 산화제·식각제 평가, 오염 원인 및 Defect 형성 기구 규명을 위한 분석 기반 기술 확보임. 핵심내용은 문헌/특허 조사로 반응 화학액 조건을 정리하고, 마이크로 유체기술로 식각율·산화율을 정밀 스크리닝함. Spectroscopy ellisopmetry, AFM, 접촉각, 제타 전위, FTIR-ATR, SIMS, ICP-MS/ICP-OES, KLA CS10으로 표면화학·입자·유기물·금속 이물의 정량 분석을 수행함. 기대효과는 SiC 습식세정 공정의 재현성 향상과 결함 저감용 세정액 및 조건 확보됨.
고전력 반도체 용 SiC 기판 세정을 위한 고청정 세정액 개발 및 이를 이용한 세정 기술 개발
본 과제는 고전력 반도체 핵심 재료인 SiC 기판에서 CMP 공정 후 남는 입자·유기물·금속이온 오염을 줄이기 위한 세정액과 세정 기구를 연구하는 과제임.
연구 목표는 요약문_연구목표 기반으로 입자 제거 세정액과 PVA 브러쉬 스크러버·메카소닉 세정기술 세정력 비교 평가, 산화제·식각제로 입자 제게 세정액 개발, 유기물/금속이온 제거 세정액 및 세정 기구 연구, 슬러리 분석과 압력 헤드 회전속도별 CMP 조건에 따른 입자 오염 평가 및 결함 검출 기술 개발임. 기대 효과는 SiC 세정·식각 특성 메커니즘 규명 및 세정공정 평가용 오염 방법 구축됨.
반도체 3D 패키징 입체구조의 대면적 검사를 위한 홀로그래피 기반 자동 광학 검사 장비 개발
본 과제는 관통홀 결함을 3D로 검사하기 위해 반사형 DHM 광학 Head와 제어 S/W를 만드는 연구임.
연구목표는 다중 광원 기반 탈축 간섭계를 이용한 반사형 DHM 광학 모듈 프로토타입 제작과 모듈 stand-alone 구동 S/W(간단한 User Interface) 구현임. 핵심 연구내용은 Loading/Un-Loading 고정밀 제어 모듈, 저진동 스테이지, 계측/검사부 구동시스템 및 통합제어시스템 개발과 DHM 모듈 계측 평가 및 결과 분석, 양산성 검증 및 보완점 분석임. 기대효과는 국내 최초 디지털 홀로그래픽 기반 비접촉·비파괴 실시간 3D 형상 측정으로 나노 스케일 정밀도 확보 및 반도체 패키지 검사장비 기술주도권 확보임