화학기계연마(CMP) 후 세정 공정에서, 폴리비닐 아세탈(PVA) 브러시 스크러빙은 CMP 공정 이후 웨이퍼 표면에 잔존하는 연마 입자를 제거하는 데 가장 효과적인 방법으로 간주된다. 세정 중 브러시는 연마재에 의해 오염될 수 있으며, 브러시 로딩이 웨이퍼를 교차오염시킬 수 있다. 본 연구는 브러시 세정 파라미터와 공정이 웨이퍼 상의 입자 교차오염 크기에 미치는 영향을, 브레이크-인(break-in) 공정, 브러시 간극 거리, 브러시 회전 속도, 웨이퍼 회전 속도, 탈이온수(DIW) 린싱, 브러시 코어를 통한 DIW 공급, 노즐 위치에 초점을 맞추어 조사하였다. 그 결과, 브레이크-인 공정 및 브러시 간극 거리는 더 가까운 접촉(최대 -1.5 mm)에서 오염이 현저히 감소함을 보여주었다. 또한 브러시 회전 속도를 증가시키면 입자 제거가 개선되어 오염이 약 400 RPM에서 100개 수준으로 감소하였으며, 웨이퍼 회전 속도는 처음에 100 RPM에서 오염을 감소시키는 경향을 보였다. 스크러빙 후 DIW 린싱과 브러시 코어를 통한 DIW 공급은 입자 수를 유의하게 감소시켜, 입자 제거에서 유체역학적 힘(hydrodynamic forces)의 중요성을 강조하였다. 아울러 측면 DIW 노즐은 중앙에 위치한 노즐과 비교할 때 오염을 상당히 완화하였다. 본 연구는 CMP 스크러빙 이후 선단 공정(advanced nodes)에서의 브러시 교차오염에 관한 새로운 방향을 제시한다.

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