SiC 기판용 고청정 세정액 개발 및 결함 저감 공정

Development of high-purity cleaning solutions for SiC substrates and defect reduction

연구 내용

SiC 기판 세정을 위해 오염 입자와 식각액 잔사를 제거하는 고청정 세정액 조성을 개발하고 결함을 저감하는 연구

고전력 반도체용 SiC 기판은 공정 전후로 잔사와 미세 오염에 의해 표면 결함이 누적될 수 있습니다. 김태곤 연구실은 SiC 세정을 목표로 고청정 세정액을 개발하고, 오염 입자와 식각액 관련 잔사 제거를 중심으로 세정 기술을 구축합니다. 또한 결함 유발 요인을 세정액 조성과 세정 조건 관점에서 정리하여 공정 호환성을 고려한 세정 프로토콜을 도출합니다. 이를 통해 웨이퍼 전처리 단계에서의 표면 품질을 안정적으로 확보하는 데 적용합니다.

관련 프로젝트

3건

연구 흐름

2022년부터 시작된 연구는 SiC 기판에 적용 가능한 고청정 세정액을 개발하고, 오염 입자 및 식각액 계열 잔사로 인한 결함을 최소화하는 방향으로 진행되었습니다. 후속 단계에서는 세정액 조성의 변동이 표면 결함에 미치는 영향을 정리하여, 동일한 품질을 반복 생산할 수 있는 세정 조건 범위를 설정했습니다. 현재는 세정액을 활용한 공정 적용성과 결함 저감 성과를 함께 점검하는 흐름으로 연구가 이어지고 있습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

SiC 웨이퍼 표면 전처리
식각 잔사 제거 공정
오염 입자 기반 결함 저감
고전력 반도체 제조용 세정 레시피
고청정 화학 조성 데이터베이스 구축
표면 청정도 기반 공정 품질 관리
에피 공정 전 잔사 최소화
부품 신뢰성 향상용 웨이퍼 품질 확보
세정액-공정 호환성 최적화
클린룸 공정 오염 관리 체계