본 과제는 chalcogenide 기반 선택소자를 활용해 3D 크로스 포인트 어레이에서 신뢰성 높은 스위칭을 구현하고, 누설전류를 줄이는 동작기구를 찾는 연구임. 연구 목표는 임계전압 tunable 선택소자의 threshold switching 신뢰성 및 공정기술 최적화와 aiMD·Boltzmann transport 기반 고온/이론 switching 분석이며, 핵심 연구 내용은 AC pulse test로 switching time·endurance 평가, 1S-1R 및 5 x 5 3D 크로스 포인트 공정 최적화, 전극계면/결함의 local defect·conductance noise 분석과 비선택소자 누설 억제용 어레이 동작기구 제안임. 기대효과는 고선택비(selectivity)와 임계전압 조절기구 정립을 통해 read margin 개선 가능함.

본 과제는 Te 기반 chalcogenide 선택소자의 threshold switching 특성을 조절해, 누설 전류를 줄이고 임계전압을 원하는 값으로 맞추는 선택소자 제작 및 분석 연구임. 연구 목표는 VTH tunability 1V, VH tunability 0.5V, Selectivity 10^3, endurance 10^9 달성을 위한 dopant 영향 및 계면 특성 규명임. 연구 내용은 N, Bi, Sb 등 도핑과 Ag/Cu 전극, amorphous/crystalline phase, chalcogenide alloy, lithography·공정 최적화로 trap states·trap compensation(Ag doping)을 분석함. 또한 밀도 범함수 이론 계산과 XPS/UPS/Optical spectroscopy·PL/TEM 통해 결함 생성 에너지, charge transfer, 일함수 변조를 계면 모델로 해석함. 기대 효과는 계면 및 도핑으로 VTH·VH shift 가능성과 VTH·VH 조절 기구를 확정해 소자 성능 향상에 기여하는 정임

본 과제는 Te 기반 chalcogenide 선택소자를 탐색·제어해 임계전압을 조절하는 기술을 연구하는 과제임. 주관기관 연세대학교와 참여기관 서울시립대학교는 물질 탐색부터 결정성 분석, 적층 구조 기반 제어까지 수행함. 연구 목표는 chalcogenide 기반 선택소자 물질의 선별과 물성 예측 및 선택소자 임계전압 제어기술(조성 최적화, 적층 구조) 확보임. 핵심 연구 내용은 Materials Project, OQMD, NOMAD 기반 스크리닝과 DFT 계산으로 stoichiometry 조절 결함 생성 에너지·전자구조·밴드 구조 예측, RF co-sputtering 증착 특성 최적화, SQS로 다원계 alloy 조성 설계, multi stack/metal stack 형성으로 VTH 조절 기구 연구임. 기대 효과는 고속연산 스크리닝 기반 후보군 선별, PVD 증착 조건 확보, 적층 구조 변화에 따른 VTH 조절 및 조성-스위칭 특성 확보임.

전하정렬과 스핀정렬의 새로운 현상을 발굴하기 위해서, 황-셀레늄-텔루륨-산화물의 에피박막의 합성법을 직접 개발하고 전자구조, 결정구조, 스핀현상을 연구하고자 합니다. 칼코겐화물 에피박막을 직접 성장하고 전하-격자-스핀 현상의 차원-계면효과, 동역학적 변화, 초박막 스핀효과, 위상학적 스핀 현상의 미시적 제어변수(두께, 결정성, 조성, 응력, 대칭성)를 밝혀...