경희대학교 물리학과 손석균 교수
손석균 연구실은 물리학과 기반의 2D 물질과 반도체 이종구조 연구를 수행합니다. 그래핀 및 2D 반데르발스 결정에서 금속 박막 유도로 인장응력 스패링을 구현하고 층수·크기를 조절하는 공정 변수를 규명합니다. 또한 in-plane graphene/h-BN 이종접합을 제어 성장하며, Raman spectroscopy와 SERS 기판을 활용해 구조·열 관련 정보를 비파괴적으로 분석합니다. 더불어 GaAs/AlGaAs에서 도핑 없는 외부 전기장 형성 2DEG의 전자 수송과 재결합을 실험 및 시뮬레이션으로 해석하고, 표면 탄성파 구동 전자 수송 및 양자 인터페이스 응용 방향의 설계를 병행합니다.
유도 가열시 고 자속 밀도를 갖는 그라파이트 구조체 및 그의 배열 방법
조리기기