우리는 새로 합성된 탄소 동소체인 비페닐렌(biphenylene) 네트워크에서의 새로운 밴드 엔지니어링 기법을 제안한다. 먼저, 완전한(프리스틴) 비페닐렌 네트워크에서 제2형(타입 II) 디랙 페르미온이 출현하는 메커니즘을 조사한다. 필수 구성 요소는 거울 대칭(mirror symmetries)과 파괴적 간섭을 통한 조밀 국소화 고유상태(compact localized eigenstates)의 안정화임을 보인다. 전자는 고대칭 선(high symmetry lines)들을 따라 밴드 교차점에 사용되며, 후자는 얻어진 디랙 분산을 매우 강하게 경사지게 한다. 다음으로, 비페닐렌 네트워크를 여러 방식으로 불소화(fluorination)하여, 제1형(타입 I) 디랙, 에너지 갭이 존재하는 gapped 제2형(타입 II) 디랙, 그리고 노달 선 반금속(nodal line semimetals) 등 다른 여러 종류의 디랙 페르미온이 개발될 수 있음을 시연한다. 이 연구에서 핵심 역할을 하는 것은 불소 원자이며, 이는 파괴적 간섭의 조건과 거울 대칭을 조작한다.

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