탄화규소(SiC)는 뛰어난 물리적 특성으로 인해 우수한 전력 반도체 소재로 주목받고 있다. 그러나 기존의 RCA 세정 방법은 SiC 웨이퍼에 적용하기에 비효율적이다. 본 연구는 PVA 브러시 스크러빙과 수소가 용해된 탈이온수(DIW)를 이용한 메가소닉 세정 등 화학-기계적 세정 기술이 SiC 웨이퍼의 입자 오염을 제거하는 데 미치는 효율을 평가하였다. 연구 결과, 두 방법 모두 웨이퍼 표면을 효과적으로 세정하였으나, 수소가 용해된 DIW를 이용한 메가소닉 세정은 향상된 버블 캐비테이션에 의해 결정 결함 내에 포획된 입자를 제거하는 데 더 우수한 것으로 나타났다. 따라서 최적의 SiC 웨이퍼 세정을 위해 이를 권장한다.

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