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박진구 연구실
한양대학교 차세대반도체융합공학부 박진구 교수
CMP 공정
Post-CMP 세정
흡착 메커니즘
연구 영역
기본 정보
논문·특허
과제
구성원

박진구 연구실

한양대학교 차세대반도체융합공학부 박진구 교수

박진구 연구실은 CMP 공정 후 세정에서의 표면·계면 현상과 부식/오염 메커니즘을 연구합니다. PVA 브러시 스크럽, DIW 린스, 첨가제 및 슬러리 입자 조건이 웨이퍼 표면에 남는 입자와 금속 이온의 이동에 미치는 영향을 평가하고, XPS, 접촉각, 유전분광, FT-IR, ICP-MS 등 분석 및 시험평가 기술로 흡착과 젖음 특성을 규명합니다. 또한 금속 배선에 대한 억제제의 작동 기전을 전기화학적 관점과 결합 에너지 기반 해석으로 검증하며, InGaAs 표면을 할라이드 염 용액에서 나노스케일 식각·연마로 제어하는 연구도 수행합니다.

CMP 공정Post-CMP 세정흡착 메커니즘금속 이온 오염부식 억제제
대표 연구 분야
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CMP 및 포스트-CMP 세정에서 브러시 오염·교차오염 제어 연구 thumbnail
CMP 및 포스트-CMP 세정에서 브러시 오염·교차오염 제어 연구
Controlling brush contamination and cross-contamination in CMP and post-CMP cleaning
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.
주요 논문
5
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1
Article
|
·
인용수 1
·
2025
Cobalt Ion Adsorption on Polyvinyl Acetal Brushes: Impact on Silica-Nanoparticle Loading During Metal Post-Chemical Mechanical Planarization Cleaning
Maheepal Yadav, Sanjay Bisht, Byung‐Hyun Kim, Hirokuni Hiyama, Tae‐Gon Kim, Jin-Goo Park
IF 5.5 (2025)
ACS Applied Nano Materials
화학적 기계적 평탄화(chemical mechanical planarization, CMP) 또는 CMP 후 세정 과정에서 용해된 금속 이온에 의해 폴리비닐 아세탈(polyvinyl acetal, PVAc) 브러시가 오염되면, 반도체 기술 노드가 10 nm 이하로 계속 축소됨에 따라 소자 수율에 중대한 문제가 발생한다. 본 연구는 다양한 pH 조건에서 코발트(Co2+) 이온의 화학적 흡착과 그에 따른 콜로이드 실리카(silica)의 PVAc 브러시에 대한 부착에 미치는 영향을 종합적으로 규명한다. Co2+ 이온의 흡착은 농도, 용액 pH, 코발트 종(이온 및 수산화물), 입자 크기 분포(particle size distribution, PSD), 표면 전하 등 여러 요인의 영향을 크게 받는다. 유도결합 플라즈마 질량분석(inductively coupled plasma mass spectrometry, ICP-MS) 분석 결과, 실리카 로딩은 중성 pH에서 최대(1006 ppb)를 보였으며, Co2+ 이온이 존재하는 조건에서 산성(522 ppb) 및 알칼리성(213 ppb)에서는 더 낮은 로딩이 관찰되었다. 푸리에 변환 적외선 분광법(Fourier-transform infrared spectroscopy, FT-IR) 및 X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS) 분석은 Co2+ 이온과 실리카 흡착이 주로 화학흡착(chemisorption)을 통해 일어남을 추가로 보여준다. 밀도범함수이론(density functional theory, DFT) 접근법을 사용하여 분자 구조와 프론티어 오비탈을 최적화하였으며, 그 결과 [Co(H2O)6]2+는 PVAc 및 실리카 분자에 비해 더 높은 반응성을 나타내는 것으로 확인되었다. 상호작용 에너지(Eint)는, 미처리(비변형) 실리카에 대한 PVAc 결합이 약한 수소 결합(Eint = 0.113 eV)을 포함하는 반면, Co2+ 이온으로 변형된 실리카에 대한 결합은 더 강한 배위 결합(Eint = −8.097 eV)을 포함함을 시사했다. 종합하면, 본 결과는 금속 CMP 후 세정 공정에서 Co2+ 이온이 PVAc 브러시에 대한 실리카 로딩을 향상시키는 데 핵심적인 역할을 한다는 점을 강조한다.
https://doi.org/10.1021/acsanm.5c04532
Chemical-mechanical planarization
Adsorption
Cobalt
Metal ions in aqueous solution
X-ray photoelectron spectroscopy
Metal
Reactivity (psychology)
Fourier transform infrared spectroscopy
2
Article
|
·
인용수 1
·
2025
Polyethyleneimine polymer as an effective corrosion inhibitor for advanced node tungsten post-CMP cleaning
Ranjith Punathil Meethal, Sumit Kumar, Maheepal Yadav, Palwasha Jalalzai, Andreas Klipp, Tae-Gon Kim, Jin-Goo Park
IF 6.9 (2025)
Applied Surface Science
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.164670
Tungsten
Adsorption
Corrosion
Contact angle
Corrosion inhibitor
X-ray photoelectron spectroscopy
van der Waals force
Dielectric spectroscopy
3
Article
|
·
인용수 6
·
2025
Metal ion contamination and removal on oxide surfaces and polyvinyl acetal brushes during the tungsten post-CMP cleaning process
Palwasha Jalalzai, Sumit Kumar, Ranjith Punathil Meethal, Kwang-Min Han, Andreas Klipp, Tae-Gon Kim, Jin-Goo Park
IF 6.3 (2025)
Surfaces and Interfaces
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2025.106939
Materials science
Tungsten
Metal
Contamination
Tungsten oxide
Polyvinyl alcohol
Oxide
Chemical engineering
Metallurgy
Composite material
최신 정부 과제
45
과제 전체보기
1
주관|
2021년 9월-2022년 9월
|266,800,000
반도체 무전분 싱글 웨이퍼 클리너 양산성능평가지원사업
본 과제는 반도체 공정에서 Oxide, Tungsten CMP Particle와 전하 등 오염을 줄이기 위한 Starch Free Single Wafer Cleaner Brush 부품을 개발하는 연구임. 연구목표는 10nm급 또는 이하 Particle 제거 성능을 갖는 국산 PVA Brush를 개발하고, Brush 품질·Particle·수율을 평판 및 패턴 Wafer로 평가한 뒤 반도체 생산 인증으로 미국 Rippey사·일본 AION사 제품을 대체하는 데 있음. 핵심 연구내용은 전분(전분 대체) 제거 기술 적용 PVA Brush, 산화막 표면 잔류 전하 제어 가능한 PVA Brush, CMP 및 신규 박막 응용에 적합한 Cleaning용 설계임. 기대효과는 세계 최초 Starch Free Single Wafer Cleaner 부품, 1z nm급 및 이하 Oxide·Tungsten CMP Particle 제거 부품 확보, 수입대체 및 수출기여임.
씨엠피
브러쉬
피브이에이
피브이에이브러쉬
클리너
2
주관|
2021년 9월-2023년 9월
|437,500,000
Single형 반도체 Wafer 세정장비용 메가소닉 Unit 개발
본 과제는 반도체 Wafer 세정장비의 핵심인 메가소닉 유니트에서, 높이·부하 등 조건 변화에도 안정적으로 세정 성능을 유지해 패턴손상을 줄이는 진동자·제어 기술을 연구하는 과제임. 연구목표는 o 높이변화에 따른 임피던스 특성변화 최소화 o 부하변동에 대한 주파수 추종 제어기술 확립 o 진동자 음압분포 계측 및 분석과 진동자-발진기 매칭으로 정밀제어 구현 정함. 연구내용은 부하 상태변화 임피던스 아날라이저 특성분석, 동작 실험용 발진기 제작, 오염물 선정·오염 증착 및 Aging 조건 확인, Pattern Damage 평가용 Pattern 선정·제작, 세정효율과 표면손상 평가로 최적주파수 선정 및 이론 해석 수행임. 기대효과는 패턴손상 저감과 안정적 출력 제어로 Wafer 세정 품질향상, 미세세정 요구 장비로 확장, 세계 최고기술 확보 및 경쟁사 대비 가격·수요처 장비경쟁력 제고로 이어짐.
초음파
반도체
웨이퍼
메가소닉유니트
케비테이션
3
주관|
2021년 2월-2024년 2월
|1,023,070,000
지역균형발전을 위한 한국-벨기에 미래 혁신성장 글로벌 인재 양성
본 과제는 한국-벨기에 양국의 지능형 반도체, 로봇, 3D 프린팅 분야 공동연구와 인턴쉽을 묶어 글로벌 소양을 갖춘 인재를 양성하는 연구 프로그램임. 연구목표는 1차년도 공동연구과제 및 인턴쉽 프로그램 정착, 2~3차년도 공동연구과제를 통한 혁신성장 프로그램 강화임. 핵심 연구내용은 imec 연구소와 한양대/성균관대/파크시스템스/울산대 컨소시엄에서 차세대 반도체·로봇·3D프린팅 관련 1차년도 13개, 2차년도 12개, 3차년도 10개 프로젝트 수행 및 인턴쉽 13건, 12건, 10건 진행임. 한양대는 KU Leuven과 로봇 1건, 3D프린팅 및 로봇 3건 공동R&D 수행함. 기대효과는 글로벌 수준 연구시설 활용 및 지식 공유로 국제 경쟁력 확보, 세계 유수 연구 시스템 경험 기반 국내 발전 기여, 공동연구 성과를 통한 우수논문 출판 및 2023년도 13건 논문 출판임.
혁신성장
벨기에
3디프린팅
로봇
반도체
최신 특허
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상태출원연도과제명출원번호상세정보
취하2020펠리클 세정 방법, 및 펠리클 세정 장치1020200067481
등록2019EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치1020190105407
등록2018펠리클 구조체 및 이를 이용한 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법1020180036176
전체 특허

펠리클 세정 방법, 및 펠리클 세정 장치

상태
취하
출원연도
2020
출원번호
1020200067481

EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법 및 그 제조 장치

상태
등록
출원연도
2019
출원번호
1020190105407

펠리클 구조체 및 이를 이용한 리소그래피용 마스크의 결함 검사 방법

상태
등록
출원연도
2018
출원번호
1020180036176