본 과제는 반도체 공정에서 Oxide, Tungsten CMP Particle와 전하 등 오염을 줄이기 위한 Starch Free Single Wafer Cleaner Brush 부품을 개발하는 연구임.
연구목표는 10nm급 또는 이하 Particle 제거 성능을 갖는 국산 PVA Brush를 개발하고, Brush 품질·Particle·수율을 평판 및 패턴 Wafer로 평가한 뒤 반도체 생산 인증으로 미국 Rippey사·일본 AION사 제품을 대체하는 데 있음. 핵심 연구내용은 전분(전분 대체) 제거 기술 적용 PVA Brush, 산화막 표면 잔류 전하 제어 가능한 PVA Brush, CMP 및 신규 박막 응용에 적합한 Cleaning용 설계임. 기대효과는 세계 최초 Starch Free Single Wafer Cleaner 부품, 1z nm급 및 이하 Oxide·Tungsten CMP Particle 제거 부품 확보, 수입대체 및 수출기여임.
본 과제는 반도체 Wafer 세정장비의 핵심인 메가소닉 유니트에서, 높이·부하 등 조건 변화에도 안정적으로 세정 성능을 유지해 패턴손상을 줄이는 진동자·제어 기술을 연구하는 과제임.
연구목표는 o 높이변화에 따른 임피던스 특성변화 최소화 o 부하변동에 대한 주파수 추종 제어기술 확립 o 진동자 음압분포 계측 및 분석과 진동자-발진기 매칭으로 정밀제어 구현 정함. 연구내용은 부하 상태변화 임피던스 아날라이저 특성분석, 동작 실험용 발진기 제작, 오염물 선정·오염 증착 및 Aging 조건 확인, Pattern Damage 평가용 Pattern 선정·제작, 세정효율과 표면손상 평가로 최적주파수 선정 및 이론 해석 수행임. 기대효과는 패턴손상 저감과 안정적 출력 제어로 Wafer 세정 품질향상, 미세세정 요구 장비로 확장, 세계 최고기술 확보 및 경쟁사 대비 가격·수요처 장비경쟁력 제고로 이어짐.
본 과제는 한국-벨기에 양국의 지능형 반도체, 로봇, 3D 프린팅 분야 공동연구와 인턴쉽을 묶어 글로벌 소양을 갖춘 인재를 양성하는 연구 프로그램임.
연구목표는 1차년도 공동연구과제 및 인턴쉽 프로그램 정착, 2~3차년도 공동연구과제를 통한 혁신성장 프로그램 강화임. 핵심 연구내용은 imec 연구소와 한양대/성균관대/파크시스템스/울산대 컨소시엄에서 차세대 반도체·로봇·3D프린팅 관련 1차년도 13개, 2차년도 12개, 3차년도 10개 프로젝트 수행 및 인턴쉽 13건, 12건, 10건 진행임. 한양대는 KU Leuven과 로봇 1건, 3D프린팅 및 로봇 3건 공동R&D 수행함. 기대효과는 글로벌 수준 연구시설 활용 및 지식 공유로 국제 경쟁력 확보, 세계 유수 연구 시스템 경험 기반 국내 발전 기여, 공동연구 성과를 통한 우수논문 출판 및 2023년도 13건 논문 출판임.
본 과제는 III-V 반도체 공정에서 CMP 이후 표면 결함을 줄이고 소자 성능을 높이기 위해, 연마 슬러리와 post-CMP 세정을 함께 최적화하는 연구임.
연구 목표는 요약문_연구목표에 제시된 III-V CMP 공정 최적화와 Defect free CMP를 위한 기계적 세정방법 적용, 그리고 소자 특성 개선을 위한 post-CMP 세정기술 최적화 달성임. 핵심 연구 내용은 InP, InGaAs CMP 슬러리 조성(연마 입자, pH, 첨가제) 및 할로겐 계열 염 첨가에 따른 연마율·거칠기·오염 감소 메커니즘 규명과, CMP 후 버핑공정 및 particle/metal 동시 제거 세정액, Sonication 없는 화학적 파티클 제거 조건 탐색, InGaAs FET/MOSCAP 제작 및 I-V, C-V 기반 leakage current·interface trap density 분석, 세정 후 damage·material loss·roughness 및 계면 물리화학적 분석 수행임. 기대효과는 요약문_기대효과에 따라 고성능 CMP(높은 연마율, 선택비, 우수 표면 조도) 및 defect free 공정 구현과 post-CMP 후 전기적 특성 개선 성능 확보임.
본 과제는 차세대 III-V 반도체 재료인 InP, InGaAs 박막의 CMP 공정과 post-CMP 세정을 안정화하는 연구임.
연구목표는 InP, InGaAs CMP/식각 문헌조사로 공정 한계와 열화요인 파악하고, IR Spectroscopic ellipsometry(IR-SE), AFM 등으로 박막 두께·표면 조도 평가법 확립하며, 화학액 조성(농도, pH)과 연마 입자 종류에 따른 dissolution, passivation, 연마거동을 규명하는 것임. 기대효과는 CMP 적합 조건 도출로 실험 안전 확보, CMP 문제점 저감, 슬러리 파티클 제거 효율 향상 및 post-CMP material loss 최소화임