400nm 파장을 방출하는 GaN LED를 제조하여, p-GaN층 위의 n-GaN층과 ITO층의 표면에 패턴을 형성함으로써 광 추출 효율을 향상시켰다. 추가로, n 및 p 패드 아래와 칩의 바닥면에 각각 광 반사 금속을 설치하였다. 광 추출 효율은 20mA에서 n-GaN층의 텍스처링에 의해 20% 증가되었고 ITO층의 텍스처링에 의해 18% 증가되었다. 표면이 평면인 LED에 비해 n-GaN과 ITO를 모두 표면 텍스처링한 경우 광 추출 효율은 20mA에서 32% 증가하였다.

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