현재 Si 태양전지 시장 점유율은 PERC 태양전지가 지배적이다. PERC 태양전지의 효율은 지속적으로 증가해 왔으나, 머지않아 실용 효율 한계에 도달할 것으로 예상된다. 박막/ PERC Si 적층(탠덤) 태양전지 기술은 단일 소자의 효율 한계를 극복할 수 있는 해결책 중 하나가 될 수 있다. 본 연구에서는 PERC 및 Al BSF 셀 아키텍처의 확산 접합(diffused junction) Si 태양전지를 위한 새로운 계면층(interlayer) 제조 기술을 개발하였다. 우리는 레이저 접촉 개구(laser contact opening, LCO)와 레이저 유도 순방향 전사(laser-induced forward transfer, LIFT) 공정을 결합하여, Si 바닥 셀의 높은 패시베이션 성능을 유지하면서도 접촉 저항이 낮은 국소 접촉 개구를 제작하였다. Si 태양전지의 유전체 패시베이션 이미터(dielectric-passivated emitter)는 LCO 공정으로 국소적으로 제거(어블레이션)하였고, 이어서 LIFT 공정으로 Ti 나노입자를 개방된 이미터 영역으로 선택적으로 전사한 뒤 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxide) 증착을 수행하였다. 레이저 공정 파라미터는 저손실 계면층을 제작하기 위해 신중하게 최적화하였다. 개발된 계면층 제조 기술을 Al BSF 및 PERC 셀의 Si 바닥 셀에 적용하였다. 마지막으로, 본 연구에서 개발한 계면층을 사용하여 페로브스카이트/ PERC Si 적층 태양전지를 성공적으로 시연하였다. 개발된 계면층 제조 기술은 포토리소그래피 단계와 버퍼 금속을 위한 진공 증착 공정을 포함하지 않으므로, 박막/확산 접합 Si 적층 태양전지의 대량 생산에 더 적합할 수 있을 것으로 기대한다.
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