저항변화 메모리 VRRAM 및 교차바 어레이의 균일성·다중레벨 특성을 제어하고, 시냅스 가소성 모델과 VMM(벡터-행렬 곱) 연산을 하드웨어로 구현하는 연구
플래시 메모리와 charge-trapping 기반 소자, 그리고 NEM 메모리 스위치를 이용해 리저버/연상 연산과 데이터 탐색을 구현하고 엣지 보안 기능까지 통합하는 연구
charge-trapping 터널 FET의 어레이 연산 특성과 스파이킹 뉴런 모델을 결합해 IR 드롭에 강인한 저전력 대규모 SNN용 연산 블록을 구현하는 연구