Memristor and Phase-Change Memory Devices
연구 내용
상변화 물질, 이종접합 구조, TMD 기반 억제층을 활용하여 저전력·고내구성 멤리스터 및 메모리 소자를 개발하는 연구
본 연구 분야는 GeTe, MoTe2, TiTe2와 같은 상변화 소재 및 TMD 기반 억제층을 활용한 멤리스터 구조의 스위칭 메커니즘을 규명하고, 저전압·저전력 구동을 실현하는 소자 설계 기술을 중심으로 수행합니다. TMD 계열의 확산 억제 특성을 이용하여 계면 필라멘트 형성 과정을 제어하고, 이종접합 기반 전도 경로의 안정성을 확보하여 고내구성 스위칭 특성을 구현합니다. 또한 다층 금속 산화물 구조와 메모리스티브 특성을 결합한 멀티레벨 저장 기술을 통해 디지털·아날로그 혼성 동작을 가능하게 하는 구조를 개발합니다. 신호 의존 가중치 변조, 누적 특성 등 생물학적 시냅스 기능을 모방하는 신경형 메모리 소자 연구도 병행하여 인공지능 하드웨어 구현 가능성을 탐색합니다. 이를 통해 고집적 메모리 및 뉴로모픽 연산 소자 설계의 기반 기술을 확보하고 있습니다.
관련 연구 성과
관련 논문
3편
관련 특허
3건
관련 프로젝트
2건
연구 흐름
초기 연구는 상변화 메모리의 열 확산 제어와 확산 억제층 기반 구조 설계에 집중되었으며, TMD 계열 재료를 적용하여 내구성을 향상시키는 실험적 분석이 진행되었습니다. 이후 이종접합 기반 멤리스터 구조로 확장하여 초저전압 스위칭과 안정적인 ON/OFF 특성을 확보하는 방향으로 발전하였습니다. 최근에는 멀티레벨 저장, 시냅스 모사 기능, 저전력 뉴로모픽 연산에 적합한 구조 설계로 연구가 확장되며, AI 연산과 디스플레이용 멤리스터 응용 기술로도 연구 영역을 확대하고 있습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Effect of Transition Metal Dichalcogenide Based Confinement Layers on the Performance of Phase‐Change Heterostructure Memory
GeTe/MoTe <sub>2</sub> Van der Waals Heterostructures: Enabling Ultralow Voltage Memristors for Nonvolatile Memory and Neuromorphic Computing Applications
Flexible Memristive Organic Solar Cell Using Multilayer 2D Titanium Carbide MXene Electrodes
관련 특허
구분
제목
다중 레벨을 구현하는 픽셀 유닛, 그것을 포함하는 전자 장치 및 그것의 동작 방법
멀티 레벨을 구현하는 메모리 소자 및 그것을 포함하는 메모리 장치
상변화 물질 기반의 아날로그-디지털 변환기 및 디지털-아날로그 변환기
관련 프로젝트
구분
제목
AI 멤리스터 기반 커패시터 프리 초저전력·고집적 디스플레이 개발
열 확산 제어를 통한 헤테로 구조 기반의 초저전력, 고성능 상변화 메모리/멤리스터 소자 개발