양자 랜덤 액세스 메모리(qRAM)는 오라클 기반 양자 알고리즘을 실행하기 위한 필수 컴퓨팅 요소이다. qRAM은 양자 중첩을 활용하여 메모리 셀에 저장된 모든 데이터를 동시에 접근할 수 있게 하며, 양자 알고리즘의 우수한 성능을 보장한다. qRAM 메모리 셀은 다양한 양자 잡음에 대해 성공적으로 동작하기 위해 양자 오류 정정(QEC) 기술로 인코딩된 논리 큐비트를 포함한다. 양자 잡음뿐 아니라, 실리콘 기술에 기반한 저기술 노드는 큐비트 밀도를 증가시킬 수 있으나 결함 큐비트를 유발할 수 있다. qRAM은 다수의 큐비트를 포함하므로 결함 큐비트에 의해 수율이 감소하며, 이 큐비트들은 QEC 기법을 사용하여 처리되어야 한다. 그러나 QEC 기법은 수많은 물리 큐비트를 요구하므로 자원 오버헤드를 가중시킨다. 본 논문에서는 이러한 오버헤드 문제를 해결하기 위해, 중복 큐비트를 도입함으로써 결함 큐비트를 보상하는 새로운 양자 메모리 아키텍처를 제안한다. 또한 qRAM에서 논리 큐비트의 서로 다른 개수에 대해 이상적인 제작 오류율을 0.5에서 1%까지 변화시키며, 제안한 양자 메모리 아키텍처가 제공하는 수율 향상을 분석한다. 1024개의 논리 큐비트로 구성된 qRAM에서, 여덟 개의 중복 논리 큐비트가 결함 복구 기법을 적용하지 않은 qRAM에 비해 수율을 95.92% 향상시킨다는 것을 입증한다.

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