교대 비틀림(AT) 다층 그래핀 시스템은 평탄대 초전도에 관한 최근 연구 노력의 핵심이며, 따라서 원자 및 전자 구조에 대한 정밀한 기술이 요구된다. 우리는 분자 동역학 시뮬레이션 코드를 이용하여 원자 구조를 이완(relax)한, $N=$ 3–10, 20층의 AAʹAAʹ… 적층 AT N-층(t N G) 그래핀과 벌크 AT 흑연(bulk AT graphite)의 전자 구조를 제시한다. 저에너지 밴드는 층들 사이의 상대적 슬라이딩에 민감하게 의존하나, 우리는 N = 6까지 각 추가 층에 대해 가능한 모든 층간 슬라이딩 기하 중에서 고도로 대칭적인 AA′AA′. . . 적층이 에너지적으로 우선함을 명시적으로 보여주며, 이는 실험 장치에서 해당 기하와 일치하는 결과가 일관되게 관측되는 이유를 뒷받침한다. 또한 격자 이완이 전자–정공 비대칭성을 강화하며, 터널링 강도를 고정한 해석적 또는 연속체 모델 계산과 비교하여 마술각(magic angle) 값이 작게 감소함을 발견하고, 이는 소수 층부터 벌크 AT-흑연까지 정량화한다. 마술각 근처에서 거의 평탄한 밴드의 상태밀도(density of states)를 최대화함으로써 얻어지는 비틀림 각 오차 허용 범위는, 쌍층 비틀림 그래핀에서 0.05°에서 출발하여 AT-흑연에서 최대 0.2°까지 점진적으로 확대되며, 따라서 다층 구조에서 더 큰 비틀림 각의 유연성을 허용한다. 더 나아가, 수직 전기장 및 자기장이 시스템의 전자 구조를 변화시키는 역할과, t N G 다층 밴드의 디커플링(decoupling)이 k z 값이 다른 주기적 AT-흑연(periodic AT-graphite)의 밴드로의 매핑을 가능하게 한다는 점에 대해 논의한다.

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