Electronic Device Laboratory는 전기전자공학부에 소속된 연구실로, 차세대 전자 소자 및 디바이스 개발에 주력하고 있습니다. 최근 3년간 주요 연구 분야로는 플렉시블 전자소자, 신경 삽입형 디바이스, 박막 트랜지스터, 스트레처블 디스플레이 등이 있습니다. 특히, 박막 트랜지스터 분야에서 높은 연구 성과를 보이며, 고해상도 WOLED 디스플레이와 관련된 연구를 진행하고 있습니다. 또한, 신경 삽입형 디바이스 개발 및 딥러닝 기반 뇌 데이터 분석 연구를 통해 뇌-기계 인터페이스 기술을 선도하고 있습니다. 플렉시블 전자소자 및 스트레처블 디스플레이 분야에서도 다양한 프로젝트를 수행하며 혁신적인 기술을 개발하고 있습니다.
차세대 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템을 위한 고집적/고성능 capacitorless DRAM 기술 개발
보통의 DRAM과 달리 capacitorless DRAM 기술은 고집적, 고성능의 메모리 장치를 실현할 수 있는 가능성을 제시합니다. 이 기술은 특히 InGaZnO TFT와 같은 산화물 반도체를 활용하여 안정성과 성능을 극대화하는 데 중점을 두고 있습니다. 이를 통해 차세대 뉴로모픽 컴퓨팅 시스템에 맞춤화된 메모리 소자 개발이 가능하며, 기존의 메모리 기술 대비 전력 소모를 크게 줄일 수 있습니다.
MRI 호환용 뇌 삽입형 디바이스 개발 및 딥러닝 기반 뇌 데이터 분석 연구
뇌 삽입형 디바이스는 신경과학 및 신경 치료에서 중요한 도구로 자리 잡고 있습니다. 특히 MRI 호환성을 갖춘 디바이스는 뇌의 신경 활동을 실시간으로 모니터링하고 분석하는 데 큰 장점을 제공하며, 이를 통해 정확한 진단과 효과적인 치료가 가능합니다. 또한, 딥러닝 기술을 적용하여 수집된 뇌 데이터를 분석함으로써 더 정밀하고 신뢰성 높은 결과를 도출할 수 있습니다. 이러한 연구는 신경 치료와 관련된 다양한 분야에서 혁신적인 해결책을 제시할 수 있습니다.
Synergistic enhancement of long-term plasticity in solid-state electrolyte-gated synaptic transistors realized by introducing an ion-capturing layer
Choi, D.H., An, J.B., Chung, J., Park, K., Lee, H., Jung, J., Kang, B.H., 김현재
Nano Today, 2025
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Endurable IGZO/SnS<sub><i>x</i></sub>/IGZO Heterojunction Phototransistor Arrays for Image Sensors
Park, Kyungho, Kang, Byung Ha, An, Jong Bin, Jung, Sujin, Moon, Kunho, Kwak, Kyungmoon, Chung, Jusung, Choi, Dong Hyun, Hwang, Yong Seon, 김현재
ACS Applied Materials & Interfaces, 2025
3
Visible-Light-Stimulated Optoelectronic Neuromorphic Transistor Based on Indium-Gallium-Zinc Oxide via Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> Light Absorption Layer
Kim, HT, Choi, DH, Kim, MS, Lee, SJ, Kang, BH, 김현재