A Direct Bond Interconnect 3D Co-Integrated Silicon-Photonic Transceiver in 12nm FinFET with -20.3dBm OMA Sensitivity and 691fJ/bit
Anirban Samanta, Po-Hsuan Chang, Peng Yan, Mingye Fu, Mehmet Berkay-On, Ankur Kumar, Hyungryul Kang, Il-Min Yi, Dedeepya Annabattuni, Yu Zhang, D.B. Scott, Robert Patti, Yang-Hang Fan, Yuanming Zhu, Samuel Palermo, S. J. Ben Yoo
초록
우리는 고밀도이면서 저기생성 Direct Bond Interconnect(DBI ® )와 이기종 3D 코-인테그레이션된 전자-광자 공동 설계 트랜시버 회로에 대한 최초의 실험적 시연을 제시한다. 해당 회로는 풀 SerDes를 특징으로 하며, -20.3 dBm OMA 감도와 691 fJ/bit 링크 에너지 효율을 달성한다.
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