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이일민 연구실
광주과학기술원 전기전자컴퓨터공학과 이일민 교수
시간기반 ADC
전압-시간 변환기
플래시 ADC
연구 영역
기본 정보
논문·특허
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이일민 연구실

광주과학기술원 전기전자컴퓨터공학과 이일민 교수

이일민 연구실은 고속 데이터 변환과 통신 송수신 회로를 중심으로 집적회로설 설계를 수행합니다. 시간영역 플래시 ADC에서 folding voltage-to-time 변환기와 T-domain latch interpolation을 적용해 변환 구조의 전력 효율과 선형성을 함께 다룹니다. 또한 DAC 기반 polar multicarrier 송신기에서 amplitude/phase 분리 변조, predistortion, 디지털 FIR filtering 등 신호처리 블록을 포함한 wireline 전송 회로를 설계합니다. 더불어 Direct Bond Interconnect 기반 전자-포톤 이종 3D 동시집적 트랜시버를 통해 전기 SerDes와 silicon-photonic 구성을 공동 설계하는 흐름을 구축하고 있습니다.

시간기반 ADC전압-시간 변환기플래시 ADCDAC 기반 폴라 송신기멀티캐리어 트랜시버
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시간영역 폴딩·보간 기반 고속 저전력 플래시 ADC 연구 thumbnail
시간영역 폴딩·보간 기반 고속 저전력 플래시 ADC 연구
High-Speed Low-Power Time-Domain Folding and Interpolation Flash ADC Research
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연구 성과 추이
표시된 성과는 수집된 데이터 기준으로 산출되며, 일부 차이가 있을 수 있습니다.

5개년 연도별 논문 게재 수

18총합

5개년 연도별 피인용 수

184총합
주요 논문
5
논문 전체보기
1
Article
|
·
인용수 4
·
2024
A 50-Gb/s Multicarrier Transmitter Using DAC-Based Polar Drivers in 22-nm FinFET
Il-Min Yi, Srujan Kumar Kaile, Yuanming Zhu, Julian Camilo Gomez Diaz, Sebastián Hoyos, Samuel Palermo
IF 5.6 (2024)
IEEE Journal of Solid-State Circuits
멀티캐리어 신호전송을 위한 유선(wireline) 애플리케이션에서 디지털-아날로그 변환기(DAC) 기반 편파(polar) 송신기(TX)가 제안된다. 제안된 TX는 세 개의 병렬 5-GS/s DAC 기반 드라이버와 5 및 10 GHz의 두 개의 직교 캐리어를 사용함으로써 스펙트럼 효율을 극대화하면서 총 50-Gb/s의 데이터 전송률을 달성한다. 기저대역(BB)에서 동작하는 세 개의 DAC 기반 드라이버는 4레벨 펄스 진폭 변조(PAM-4)를 사용하고, 중간대역(MB) 및 고대역(HB)은 16-상태 복소 변조를 사용한다. 이때 드라이버 비선형성을 보상하기 위해 7비트 진폭 변조에 더해 추가의 2비트 전치보정(PD)이 제공된다. 또한 MB 및 HB 편파 드라이버에는 7비트 위상 변조가 적용된다. 진폭과 위상 변조가 편파 드라이버에서 독립적으로 수행되므로, 제안된 TX는 MB 및 HB에서 QAM-16 또는 APSK-4 12와 같은 임의의 변조 형식을 지원할 수 있다. TX 등화를 위해 룩업 테이블(LUT)을 사용하여 디지털 도메인에서 8탭 유한임펄스응답(FIR) 필터링을 구현한다. 22-nm FinFET로 제작된 TX는 1.2-Vppd 출력 스윙을 가지며, 데이터 전송률 50-Gb/s, 비트 에러율(BER) {{abstract}}lt;-+$ 12 변조에 대해 1.68-pJ/b의 에너지 효율을 달성한다.
https://doi.org/10.1109/jssc.2024.3376079
Transmitter
Electronic engineering
Computer science
Polar
Electrical engineering
Physics
Telecommunications
Optoelectronics
Engineering
Channel (broadcasting)
2
Article
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·
인용수 3
·
2023
A 50Gb/s DAC-Based Multicarrier Polar Transmitter in 22nm FinFET
Il-Min Yi, Srujan Kumar Kaile, Yuanming Zhu, Julian Camilo Gomez Diaz, Sebastián Hoyos, Samuel Palermo
유선(선로) 응용을 위한 DAC 기반 극성(polar) 송신기(TX)는 임의의 변조 형식을 갖는, 지터에 강인한 멀티캐리어 신호전송을 효율적으로 구현한다. 총 50Gb/s 데이터 전송률은 5GS/s의 세 개 병렬 출력 드라이버를 통해 지원되며, 이 드라이버는 베이스밴드 PAM-4 및 5, 10GHz의 직교 캐리어에서 중간밴드(MB)와 고밴드(HB) 16상태 복소 변조를 각각 수행한다. DAC 진폭 해상도는 모든 드라이버에 대해 7b에 2b 프리디스토션을 더한 수준이며, 극성 MB 및 HB 드라이버는 또한 7b 위상 해상도를 가진다. TX DSP는 모든 대역에 대해 8탭 FIR 필터링을 구현한다. 22nm FinFET으로 제작된 TX는 1.2의 스윙을 가지며, QAM-16과 APSK-4+12 변조 모두에서 1.68pJ/b의 전력 소모로 50Gb/s의 BER<를 달성한다.
http://dx.doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185267
Transmitter
Baseband
Quadrature amplitude modulation
Jitter
QAM
Modulation (music)
Electronic engineering
Predistortion
Computer science
BiCMOS
3
Article
|
·
인용수 4
·
2023
A Direct Bond Interconnect 3D Co-Integrated Silicon-Photonic Transceiver in 12nm FinFET with -20.3dBm OMA Sensitivity and 691fJ/bit
Anirban Samanta, Po-Hsuan Chang, Peng Yan, Mingye Fu, Mehmet Berkay-On, Ankur Kumar, Hyungryul Kang, Il-Min Yi, Dedeepya Annabattuni, Yu Zhang, D.B. Scott, Robert Patti, Yang-Hang Fan, Yuanming Zhu, Samuel Palermo, S. J. Ben Yoo
우리는 고밀도이면서 저기생성 Direct Bond Interconnect(DBI ® )와 이기종 3D 코-인테그레이션된 전자-광자 공동 설계 트랜시버 회로에 대한 최초의 실험적 시연을 제시한다. 해당 회로는 풀 SerDes를 특징으로 하며, -20.3 dBm OMA 감도와 691 fJ/bit 링크 에너지 효율을 달성한다.
http://dx.doi.org/10.1364/ofc.2023.m3i.4
Transceiver
Sensitivity (control systems)
Photonics
Interconnection
SerDes
Photonic integrated circuit
Optoelectronics
Electronic engineering
Physics
Electrical engineering
최신 정부 과제
7
과제 전체보기
1
2025년 3월-2025년 12월
|60,000,000
지능형 사회를 위한 융합기술 연구
-?안테나?근역장?측정방법?및?표준화?연구-?태양광-ESS(energy?storage?system)?시스템에서?발전?연속성을?확보하기?위한?가상동기기?기반의?제어?및?운용?기법?연구·개발-?트랜스포머를?활용한?마스킹?기반?MVDR?빔포밍?기술?연구-?멀티칩?모듈용?고밀도?고속?인터페이스?회로?기술?연구-?이격된?듀얼?루프코일?합성자장을?이용한?인체용?무선전...
인공지능
반도체
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양자
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2024년 6월-2030년 12월
|609,000,000
반도체 첨단패키징 현장실무형 인재양성
ㅇ 차세대 반도체 첨단패키징 현장실무형 인재양성- 첨단산업의 글로벌 제조 경쟁력 확보를 위한 첨단 패키징 분야 석·박사 혁신인재 양성- 첨단패키징 분야 특성화 교육 체계 구축- 기업맞춤형 전문인력 교육체계 구축- 현장실무형 체계 구축- 지속가능한 산·학 협력 네트워크 구축
반도체
패키징
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3
2024년 6월-2030년 12월
|1,827,000,000
반도체 첨단패키징 현장실무형 인재양성
ㅇ 차세대 반도체 첨단패키징 현장실무형 인재양성- 첨단산업의 글로벌 제조 경쟁력 확보를 위한 첨단 패키징 분야 석·박사 혁신인재 양성- 첨단패키징 분야 특성화 교육 체계 구축- 기업맞춤형 전문인력 교육체계 구축- 현장실무형 체계 구축- 지속가능한 산·학 협력 네트워크 구축
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